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ノーザンテリトリーMFS5C404NLT1GMOSFET力エレクトロニクス8-力TDFN電圧 N チャネル パワー MOSFET FETタイプ Nチャンネル...

JY13M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル40VMOSFET 一般的な説明 JY13Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです優れたRを供給することができますDS (オン)補完的なMOSFETはHブリッジ,インバーター,その他のアプリケーションで使用できる........

2N7002L 小信号MOSFET 60 V、115 mA、NチャネルSOT-23 特徴 •鉛フリーパッケージが利用可能 V（BR）DSS R DS MAX（上） I D MAX 60V 7.5 @ 10V、 500 mA 115 mA 最大定格 評.........

6G03S 30V N+Pチャネルの強化モードMOSFET 記述 6G03S使用高度の堀 優秀なRDS（）および低いゲート充満を提供する技術。 補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかもしれません レベルは他のホストのための高い側面スイッチを、移し 適用 概要.........

高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK MSL 1単一NチャネルのMOSFETS プロダクト技術仕様 製造業者 Vishay Siliconix シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 ......

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 NP110N055PUG製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR）部分の状態時代遅れFETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）55V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C110A （T......

電気通信および産業使用のためのトランジスターIRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A力MOSFET IRLR7843PbF IRLU7843PbF 記述 非絶縁DC/DCのコンバーターのための力MOSFETの選択 .........

HEXFETか。力MOSFET VDSS 最高RDS （） ID 200V 0.082Ω 31A 適用 か。高周波DC-DCのコンバーターか。 無鉛 利点 か。損失を転換することを減るため.........

FDC608PZ MOSFET -20V Pチャネル 2.5V パワートランチ MOSFET 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SSOT-6 トラン.........

20mW自動車IGBTモジュールDF23MR12W1M1B11BPSA1の炭化ケイ素MOSFETモジュール DF23MR12W1M1B11BPSA1の製品の説明 DF23MR12W1M1B11BPSA1は炭化ケイ素MOSFETモジュール、Mosfetの配列1200Vのシャーシの台紙で.........

STW9N150 MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3 部門 分離した半導体製品 トランジスター FETs、MOSFET...

JY13M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル40V MOSFET 概説 JY13MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供できるかどれが。補足MOSFETsはH橋、インバーターおよび他の適用で使用されるかも.........

8205A SOT-23-6LはMOSFETSの二重N-Channel MOSFETをプラスチック内部に閉じ込める 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1...

MOSFET IRLML2244TRPBF チップ ダイオード トランジスタ集積回路 製品説明 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 製品特性 製造元...

FDS3992 Mosfetの配列100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC データ用紙:FDS3992 部門 FET、MOSFETは配列する Mfr onsemi シリーズ PowerTrench プロダクト状態 活動的 技術 MOSFET （金属酸化物） 構成 2 N-Channel ......

JY13MのNとPチャネル40VMOSFET 一般的な説明: JY13Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,優れたRDS ((ON) と低ゲート充電を提供することができます.補完的なMOSFETは,Hブリッジで使用できます.インバーターおよびその他の用途. .........

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC2301 P-Channel 20-V （D-S） MOSFET BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 TrenchFET力MOSFET 印:2301 適用 携帯機器のための負荷スイッチ DC/DCのコンバーター ......

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