Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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NTMFS5C404NLT1G MOSFET パワー エレクトロニクス 8PowerTDFN 電圧 N チャネル パワー MOSFET

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NTMFS5C404NLT1G MOSFET パワー エレクトロニクス 8PowerTDFN 電圧 N チャネル パワー MOSFET

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型式番号 :NTMFS5C404NLT1G
原産地 :原物
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
FETのタイプ :N-Channel
技術 :MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :20V
タイプの取付け :表面の台紙
Vgs (最高) :±30V
実用温度 :-55°C | 150°C (TJ)
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ノーザンテリトリーMFS5C404NLT1GMOSFETエレクトロニクス8-TDFN電圧 N チャネル パワー MOSFET

FETタイプ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
0.75ミリオーム @ 50A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
181nC @ 10V
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
12168 pF @ 25 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
3.2W(Ta)、167W(Tc)
動作温度
-55℃~175℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ・ケース

NTMFS5C404NLT1G高度MOSFETからの上Sエミックオンダクタそれある低い-番目再保留独身N-チャネル強化-モードMOSFET収容された8-ピンTDFNパッケージこれMOSFETもっているある最大ドレインソース電圧40Vある最大ドレイン現在8ある最大ドレイン-ソースの上-レス距離4メートルΩ

それ設計操作するある最大ジャンクション温度150°Cできる配達高い効率管理ある範囲アプリケーション含む直流/直流変換するターズ用品データスイッチモーターコントロールさらにこれデバイス特徴低いゲート充電低い入力出力容量スタンス作るそれ理想ために使用高い-周波数切り替えアプリケーション

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