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MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 NP110N055PUG
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） |
|---|---|
| 部分の状態 | 時代遅れ |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 55V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 110A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 2.4 mOhm @ 55A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 380nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 25700pF @ 25V |
| 電力損失（最高） | 1.8W （Ta）、288W （Tc） |
| 実用温度 | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | TO-263 |
Yonlanda Skype: qyt-yolanda1 電子メール: yonlandasong （で） quanyuantong.net |