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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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RoHSはMOSFETS NチャネルMosfet力トランジスターSOT-23-6L 6.0 VDSS二倍になる

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China RoHSはMOSFETS NチャネルMosfet力トランジスターSOT-23-6L 6.0 VDSS二倍になる wholesale
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RoHSはMOSFETS NチャネルMosfet力トランジスターSOT-23-6L 6.0 VDSS二倍になる
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原産地 :シンセン中国
最低順序量 :1000-2000のPCS
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2週
支払の言葉 :L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :8205A
製品名 :Mosfet力トランジスター
VDSS :6.0 A
適用 :力管理
特徴 :低いゲート充満
力mosfetのトランジスター :SOT-23-6Lはプラスチック内部に閉じ込める
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8205A SOT-23-6LはMOSFETSの二重N-Channel MOSFETをプラスチック内部に閉じ込める

 

 

概説

 

 

VDSS= V ID= 6.0 A

z 20

G1

6

D1、D2

5

G2

4
  z  

RDS （） <>

25m

GS
  z  

RDS （） <>

32m

GS

1 2 3

S1

D1、D2 S2

 

 

 

 

特徴

 

z TrenchFET力MOSFET

z優秀なRDS （）

zの低いゲート充満

zの高い発電および現在の渡す機能

zの表面の台紙のパッケージ

 

 

適用

 

z電池の保護

zの負荷スイッチ

z力管理

 

 

変数記号のテスト条件の最低のタイプ最高の単位
静的なCHARACTERICTISCS
下水管源の絶縁破壊電圧V （BR） DSS VGS = 0V、ID =250µA 19 V
ゼロ ゲートの電圧下水管現在のIDSS VDS =18VのVGS = 0V 1 µA
ゲート ボディ漏出現在のIGSS VGS =±10V、VDS = 0V ±100 nA
ゲートの境界の電圧（ノート3） VGS （Th） VDS =VGS、ID =250µA 0.5 0.9V
前方tranconductance （ノート3）のgFS VDS =5V、ID =4.5A 10 S
ダイオード前方電圧（ノート3） VSD IS=1.25A、VGS = 0V 1.2 V

 

 

動的CHARACTERICTISCS （note4）
入れられたキャパシタンスCiss 800 pF
出力キャパシタンスCoss VDS =8V、VGS =0V、f =1MHz 155 pF
逆の移動キャパシタンスCrss 125 pF

 

 

切換えCHARACTERICTISCS （ノート4）
Turn-on遅れ時間td （） 18 ns
Turn-on上昇時間tr VDD=10V、VGS=4V、5 ns
Turn-off遅れ時間td （） ID=1A、RGEN=10Ω 43 ns
Turn-off落下時間tf 20 ns
総ゲート充満Qg 11 NC
ゲート源充満Qgs VDS =10V、VGS =4.5V、ID=4A 2.3 NC
ゲート下水管充満Qgd 2.5 NC

 

 

注:

1. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られるPluseの幅

2. FR4板に、t≤10秒取付けられる表面。

3. 脈拍テスト:脈拍width≤300μsの義務cycle≤2%。

4. 意図的に、ない生産に応じて保証される。

 

 

 

RoHSはMOSFETS NチャネルMosfet力トランジスターSOT-23-6L 6.0 VDSS二倍になる

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SOT-23-6Lのパッケージの輪郭次元

 

 

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