高圧mosfet

製品説明: 高電圧MOSFET 高電圧MOSFETは,FRDHVMOSFETを組み込み,超高電圧評価と優れた熱消耗,低電圧抵抗とMOSFET技術を提供しています.このタイプのMOSFETはN型です.高電圧および/または超高電圧電源を必要とする様々な用途に適している. 高電圧MOSFETは高性能で........

5A500V CS5N50A2 高電圧MOSFET 高電圧アプリケーション用 100% 雪崩試験 Nチャネル 部分番号 パッケージ チャンネル 私はD (A) VDSS (V) VGSS (V) VGS (th)(V) RDS ((ON)10V (mΩ) Qg(nC) シス.........

Nは高圧Mosfet 650V 10A高精度なRoHS迎合的なTO-220Fを運びます 適用 アダプター及び充電器 SMPSの予備発電 AC-DCの切換えの電源 LEDの運転力 特徴 抵抗の低速 低いゲート充満 ピーク電流対脈拍幅のカーブ 迎合的なRoHS 発注情報 部品番号: H10N65 指定......

OEM高圧Mosfetのトランジスター/AP10H03DF Uhf力トランジスター 高圧Mosfetのトランジスター記述: AP10H03DFは高性能の堀です極度で高い細胞密度のN CH MOSFETs、優秀なRDSONを提供し、充満をゲートで制御するかどれが小さい力の切換えのほとん.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2P.........

AOD5N50 500V、5A NチャネルMOSFET 概説 AOD5N50は普及したAC-DCの適用の性能そして強さのハイ レベルを提供するように設計されている高度の高圧MOSFETプロセスを使用して製造されます。低いRDSの提供によって（）、保証されたなだれの機能と共にCissそしてCrs.........

AOD5N50 500V、5A N-Channel MOSFET 概説 AOD5N50は普及したAC-DCの適用の性能そして強さのハイ レベルを提供するように設計されている高度の高圧MOSFETプロセスを使用して製造される。低いRDSの提供によって（）、保証されたなだれの機能と共にCissそし.........

製品の説明: 1.高められた効率のための低いゲート充満MOSFET （IRF 6648 TRPBF） 2.改善された性能のための高密度細胞の設計 3.低い電力の適用のためのN-Channel MOSFET 4.高められた信頼性のための高められた険しさ 5.改善.........

IRFZ44N -電子工学の熱狂者のための最終的な力MOSFETIRFZ44Nの賛否両論を発見し、あなたのプロジェクトに今日権限を与えなさい 高性能MOSFETのトランジスターを捜している電子工学の熱狂者であるか。IRFZ44Nよりそれ以上に見てはいけない。この強力な装置は電源および運動制御.........

...

ドライバーIC統合回路 SY7201ABC シレルギー SOT 23ドライバICとしても知られるドライバチップは,他の電子部品を制御し,駆動する電子機器の基本的な部品です.幅広いデバイスの様々な電子部品の制御とアクティベーションを可能にするドライバチップドライバチップは,電源が切断された場合でも,.......

高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK MSL 1単一NチャネルのMOSFETS プロダクト技術仕様 製造業者 Vishay Siliconix シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 FETのタイプ Nチャネル 技術 ......

IRLML2803TRPBF Infineon TRANS MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/Rプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態......

...

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........

製品説明: 移動中のデバイスを充電するための 多用的で環境にやさしいソリューションです 高効率の単結晶電池ソーラーパネルでこの折りたたむ式キャンプ用ソーラーバッグは どこにいても 信頼できるエネルギー源を提供するために 太陽の力を利用します. 太陽光折りたたみバッグは 最大電源18Vの電圧を搭載........

MIC5021YM-TRのマイクロチップ ゲートの運転者の高速高いサイドMOSFETの運転者SOIC-8 MIC5021YM MIC5021YN 製造業者:マイクロチップ製品タイプ:ドアの運転者プロダクト:MOSFETのゲートの運転者タイプ:高側設置様式:SMD/SMTパッケージ.........

電気通信および産業使用のためのトランジスターIRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A力MOSFET IRLR7843PbF IRLU7843PbF 記述 非絶縁DC/DCのコンバーターのための力MOSFETの選択 .........