2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

型式番号:2N7002LT1G
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:8600pcs
受渡し時間:1 日
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Shenzhen Guangdong China
住所: B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 25 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

2N7002L

小信号MOSFET 60 V、115 mA、NチャネルSOT-23


特徴

•鉛フリーパッケージが利用可能


V(BR)DSSR DS MAX(上)I D MAX
60V

7.5 @ 10V、

500 mA

115 mA

最大定格

評価シンボル単位
ドレイン - ソース間電圧V DSS60Vdc
ドレイン-ゲート電圧(R GS = 1.0 M)V DGR60Vdc

ドレイン電流

-連続T C = 25°C(注1)

-連続T C = 100°C(注1)

- パルス(注2)

I D

I D

DM


±115

±75

±800


mAdc

ゲート - ソース間電圧

- 連続

- 非繰り返し(tp≦50μs)


V GS

V GSM


±20

±40


Vdc

Vpk

最大定格は、それを超えてデバイスが損傷する可能性がある値です。 デバイスに適用される最大定格は、個々のストレス限界値(通常の動作条件ではない)であり、同時に有効ではありません。 これらの制限を超えると、デバイスの機能動作が暗示されず、損傷が発生し、信頼性に影響を与える可能性があります。


パッケージ寸法


株式オファー(ホット・セール)

部品番号数量MFGD / Cパッケージ
MP2104DJ-1.85735MPS16+SOT
MP2104DJ-LF-Z10000MPS16+SOT
MAX3221IPWR10300TI15歳以上TSSOP
BD82NM70 SLJTA549インテル13+BGA(BGA)
PIC32MX564F128L-I / PT500マイクロチップ15歳以上TQFP-100
ATTINY2313-20SU3779ATMEL15歳以上SOP-20
LT1761ES5-3.3#TR10610LT16+SOT-23-5
NUP2105LT1G3000016+SOT23-6
PDS1040L-1313780DIODES16+SMD
LM335M4854NSC14+SOP-8
MIC94052YC66718MIC16+SC70-5
MC74VHC1G04DTT11000016+SOT
LP38501TJ-ADJ634TI14+TO-263
LP5951MGX-2.55596NSC15歳以上SC70-5
MJE180086500015歳以上TO-220
LP3872EMPX-3.33743NSC15歳以上SOT-223
ABS25-32.768KHZ-6-T3000アブラコン15歳以上SMD
PIC10F206T-I / OT9000マイクロチップ16+SOT
MAX202IDR7600TI16+SOP
30521 *624ボッシュ10+SOP-20
MC14504BCPG427016+浸漬

China 2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23 supplier

2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

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