力MosfetのトランジスターIC NP110N055PUG 55V 110A 1 N-ChannelスイッチMOSは効果SOT-263の電子部品の守備につく

型式番号:NP110N055PUG
原産地:米国
タイプ:論理ICS
パッケージ:SOT-263
パッケージ/場合:SOT-263
無鉛状態/RoHSの状態:迎合的な無鉛/RoHS
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Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 NP110N055PUG

製品の説明
包装テープ及び巻き枠(TR)
部分の状態時代遅れ
FETのタイプN-Channel
技術MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)55V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C110A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)10V
(最高) @ ID、VgsのRds2.4 mOhm @ 55A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs380nC @ 10V
Vgs (最高)±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds25700pF @ 25V
電力損失(最高)1.8W (Ta)、288W (Tc)
実用温度175°C (TJ)
タイプの取付け表面の台紙
製造者装置パッケージTO-263


Yonlanda

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力MosfetのトランジスターIC NP110N055PUG 55V 110A 1 N-ChannelスイッチMOSは効果SOT-263の電子部品の守備につく

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