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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A

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China 6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A wholesale
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6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A
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原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :6G03S
製品名 :mosfet 力トランジスター
RDS （） :< 37m="">
ID :6.5A
フィーチャー :低いゲート充満
VGS :-10V
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6G03S 30V N+Pチャネルの強化モードMOSFET

 

 

記述

6G03S使用高度の堀

優秀なRDS（）および低いゲート充満を提供する技術。

補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかもしれません

レベルは他のホストのための高い側面スイッチを、移し

適用

 

概要の特徴

NチャネルPチャネル

Nチャネル

VDS = 30V、ID =6.5A

RDS（）< 16m=""> GS=10V

Pチャネル

VDS = -30V、ID = -7A

RDS（）< 37m=""> GS=-10V

高い発電および現在の渡す機能

無鉛プロダクトは得られます

表面の台紙のパッケージ

 

 

適用

●力の切換えの適用

●の懸命に転換された高周波回路

●の無停電電源装置

 

 

パッケージの印および発注情報

6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A

 

絶対最高評価（通知がなければTC=25℃）
6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A
 
N-CHの電気特徴（通知がなければTA=25℃）

6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A

 

注:
1. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
2. FR4板に、tの≤ 10の秒取付けられる表面。
3. 脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300μsの使用率の≤ 2%。
4. 意図的に、ない生産に応じて保証される
 
 
30V N+PチャネルのEnhancemeN-チャネルの典型的な電気および熱特徴（カーブ）
 
6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A6G03S 30V Mosfet力トランジスター強化モードMOSFET ID 6.5A
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