高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK
型式番号:SIHB22N60E-E3
原産地:中国
最低順序量:5枚
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:400pcs
受渡し時間:2〜3営業日
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C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
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製品詳細
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製品詳細
高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK
MSL 1の単一のN-CHANNELのMOSFETS
プロダクト技術仕様
| 製造業者 | Vishay Siliconix | |
|---|---|---|
| シリーズ | - | |
| 包装 | 管 | |
| 部分の状態 | 活動的 | |
| FETのタイプ | N-Channel | |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 600V | |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 21A （Tc） | |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 180 mOhm @ 11A、10V | |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 86nC @ 10V | |
| Vgs （最高） | ±30V | |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1920pF @ 100V | |
| FETの特徴 | - | |
| 電力損失（最高） | 227W （Tc） | |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | |
| 製造者装置パッケージ | D2PAK | |
| パッケージ/場合 | TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB |
| OPA2107AU/2K5 | チタニウム | PTH05050WAZ | チタニウム |
| THCV231-3L/CD | チタニウム | TMS320DM8168CCYG2 | チタニウム |
| THC63LVD1024-1LTN | チタニウム | PTH08T231WAD | チタニウム |
| TMS320F28035PNT | チタニウム | TPS65920A2ZCHR | チタニウム |
| INA126PA | チタニウム | LMH0344SQ/NOPB | チタニウム |
| TPS73533DRBR | チタニウム | AD5412AREZ-REEL7 | チタニウム |
| TPS54319RTER | チタニウム | ADS1241E/1K | チタニウム |
| IC12715001 | チタニウム | TL16C552AFNR | チタニウム |
| THCV235-TB | チタニウム | PGA204AU/1K | チタニウム |
| THCV236-ZY | チタニウム | ADS8505IDWR | チタニウム |
| ADS8326IDGKR | チタニウム | TMS320LF2407APGEA | チタニウム |
| ADS7816U/2K5 | チタニウム | AM3703CUSD100 | チタニウム |
| DAC7558IRHBR | チタニウム | TMS320DM8148CCYEA0 | チタニウム |
| ADSP-21489KSWZ-4B | チタニウム | LMZ23610TZE/NOPB | チタニウム |
| TPS75801KTTR | チタニウム | TPS2115ADRBR | チタニウム |
高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK
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