ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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IRFB31N20DPBFのsmd力mosfet二重力mosfet力Mosfetのトランジスターか。か。か。か。か。か。か。か。HEXFET®力MOSFET

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ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社
シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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IRFB31N20DPBFのsmd力mosfet二重力mosfet力Mosfetのトランジスターか。か。か。か。か。か。か。か。HEXFET®力MOSFET

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型式番号 :IRFB31N20DPBF
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :8100pcs
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :Nチャンネル 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta)、200W(Tc) スルーホール TO-220AB
連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V :21 A
脈打った下水管の流れ :124 A
線形軽減の要因 :1.3 With°C
ゲートに源の電圧 :± 30 V
ピーク ダイオードの回復dv/dt :2.1 V/ns
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HEXFETか。力MOSFET

VDSS 最高RDS () ID
200V 0.082Ω 31A

適用

  • か。高周波DC-DCのコンバーターか。
  • 無鉛

利点

  • か。損失を転換することを減るために流出するべき低いゲートか。
  • 設計を簡単にする有効なCOSSを含む十分に特徴付けられたキャパシタンス(1001を見なさい)か。
  • 十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ

絶対最高評価

変数 最高。 単位
ID @ TC = 25°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 31 ‡
ID @ TC = 100°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 21
IDM 脈打つ現在のを流出させなさい 124
PD @TA = 25°C 電力損失 3.1 W
PD @TC = 25°C 電力損失 200 W
線形軽減の要因 1.3 With°C
VGS ゲートに源の電圧 ± 30 V
dv/dt ピーク ダイオードの回復dv/dt ƒ 2.1 V/ns

TJ

TSTG

作動の接続点

保管温度の範囲

-55に+ 175 °C
10秒のはんだ付けする温度、 300 (場合からの1.6mm) °C
トルク、6-32またはM3 srewを取付ける 10のlbf•(1.1N•m)

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 Q'ty MFG D/C パッケージ
MAX1636EAP-T 6200 格言 10+ SSOP
MAC8M 9873 10+ TO-220
MJD117-1G 8000 14+ TO-263
MAX1683EUK+T 6350 格言 16+ SOT
L3G4200D 2729 ST 15+ LGA16
PTN78020AAH 400 チタニウム 15+ すくい
MAX4214EUK+T 5968 格言 10+ SOT
MX25L12873FM2I-10G 4500 MXIC 15+ SOP
ATTINY10-TSHR 3000 ATMEL 15+ SOT23
PTN78060WAD 980 チタニウム 15+ すくい
PIC18F2520-I/SO 4598 マイクロチップ 15+ SOP
MC33269DR2-5.0 4554 15+ SOP
MCP3421AOT-E/CH 5302 マイクロチップ 16+ SOT
MMBFJ108 10000 フェアチャイルド 16+ SOT-23
PIC18F8520-I/PT 4273 マイクロチップ 14+ TQFP
PIC18F4550-I/PT 4438 マイクロチップ 14+ QFP
MC68HC908QY4CPE 3832 FREESCALE 14+ すくい
ZTX751 16060 ZETEX 11+ TO-92
MC9S12C64MFAE 4732 FREESCALE 14+ QFP
ZTX651 29000 ZETEX 11+ TO-92
LTC1650AIS 2802 線形 11+ SOP

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