JY13M 40Vの表面の台紙NおよびPチャネル力Mosfetの運転者ICの破片

型式番号:JY13M
最低順序量:1セット
包装の細部:PE BAG+のカートン
原産地:中国
受渡し時間:5-10日
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Changzhou Jiangsu China
住所: 8号 天山道路,新北地区,チャン州,江蘇,中国
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製品詳細

JY13M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル40V MOSFET


概説


JY13MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである
優秀なRDS ()および低いゲート充満を提供できるかどれが。補足
MOSFETsはH橋、インバーターおよび他の適用で使用されるかもしれない。


特徴

装置VBR (DSS)RDS () MAX TJ =25ºCパッケージ
N-Channel40V<30mΩ@VGS=10V、ID=12ATO252-4L
<40mΩ@VGS=4.5V、ID=8A
P-Channel-40V<45mΩ@VGS=-10V、ID=-12A
<66mΩ@VGS=-4.5V、ID=-8A


●低い入れられたキャパシタンス
●速い切り替え速度

 

絶対最高評価(通知がなければTa=25ºC)

変数記号NチャネルPチャネル単位
源の電圧を流出させなさいVDSS40-40V
ゲート源電圧VDSS±20±20
連続的
現在を流出させなさい
Ta=25ºCID12-12
Ta=100ºC12-12
脈打った下水管の流れIDM30-30
最高力
消滅
Ta=25ºCPD2W
Ta=70ºC1.3
接続点および貯蔵
温度較差
TJ TSTG-55から150ºC
熱抵抗
包囲されたへの接続点
RθJA10s25ºC/W
安定した60
熱抵抗
包装するべき接続点
RθJC5.55ºC/W


電気特徴(通知がなければTa=25ºC)

記号変数条件タイプ最高単位
空電
VGS (Th)ゲートの境界
電圧
VDS =VGS、ID =250UAN CH1.72.53.0V
VDS =VGS、ID =-250UAP CH-1.7-2-3.0
IGSSゲートの漏出
現在
VDS =0V、VGS =±20VN CH±100nA
P CH±100
IDSSゼロ ゲートの電圧
現在を流出させなさい
VDS =40V、VGS =0VN CH1uA
VDS =-40V、VGS =0VP CH-1
ID ()オン州の下水管
現在
VDS =5V、VGS =10VN CH30
VDS =-5V、VGS =-10VP CH-30
RDS ()下水管源
オン州
抵抗
VGS =10V、ID =12AN CH2430
VGS =-10V、ID =-12AP CH3645
VGS =4.5V、ID =8AN CH3140
VGS =-4.5V、ID =-8AP CH5166
VSD前方ダイオード
電圧
=1.0A、VGS =0VはあるN CH0.761.0V
=-1.0A、VGS =0VはあるP CH-0.76-1.0

 


 

ダウンロードJY13Mの利用者マニュアル

JY13M.pdf

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