IRFB31N20DPBFのsmd力mosfet二重力mosfet力Mosfetのトランジスターか。か。か。か。か。か。か。か。HEXFET®力MOSFET

型式番号:IRFB31N20DPBF
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8100pcs
受渡し時間:1日
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正会員
Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

HEXFETか。力MOSFET


VDSS最高RDS ()ID
200V0.082Ω31A

適用

  • か。高周波DC-DCのコンバーターか。
  • 無鉛

利点

  • か。損失を転換することを減るために流出するべき低いゲートか。
  • 設計を簡単にする有効なCOSSを含む十分に特徴付けられたキャパシタンス(1001を見なさい)か。
  • 十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ

絶対最高評価

変数最高。単位
ID @ TC = 25°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V31 ‡
ID @ TC = 100°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V21
IDM脈打つ現在のを流出させなさい124
PD @TA = 25°C電力損失3.1W
PD @TC = 25°C電力損失200W
線形軽減の要因1.3With°C
VGSゲートに源の電圧± 30V
dv/dtピーク ダイオードの回復dv/dt ƒ2.1V/ns

TJ

TSTG

作動の接続点

保管温度の範囲

-55に+ 175°C
10秒のはんだ付けする温度、300 (場合からの1.6mm)°C
トルク、6-32またはM3 srewを取付ける10のlbf•(1.1N•m)

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
MAX1636EAP-T6200格言10+SSOP
MAC8M987310+TO-220
MJD117-1G800014+TO-263
MAX1683EUK+T6350格言16+SOT
L3G4200D2729ST15+LGA16
PTN78020AAH400チタニウム15+すくい
MAX4214EUK+T5968格言10+SOT
MX25L12873FM2I-10G4500MXIC15+SOP
ATTINY10-TSHR3000ATMEL15+SOT23
PTN78060WAD980チタニウム15+すくい
PIC18F2520-I/SO4598マイクロチップ15+SOP
MC33269DR2-5.0455415+SOP
MCP3421AOT-E/CH5302マイクロチップ16+SOT
MMBFJ10810000フェアチャイルド16+SOT-23
PIC18F8520-I/PT4273マイクロチップ14+TQFP
PIC18F4550-I/PT4438マイクロチップ14+QFP
MC68HC908QY4CPE3832FREESCALE14+すくい
ZTX75116060ZETEX11+TO-92
MC9S12C64MFAE4732FREESCALE14+QFP
ZTX65129000ZETEX11+TO-92
LTC1650AIS2802線形11+SOP

China IRFB31N20DPBFのsmd力mosfet二重力mosfet力Mosfetのトランジスターか。か。か。か。か。か。か。か。HEXFET®力MOSFET supplier

IRFB31N20DPBFのsmd力mosfet二重力mosfet力Mosfetのトランジスターか。か。か。か。か。か。か。か。HEXFET®力MOSFET

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