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2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

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型式番号 :2N7002LT1G
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :8600pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
Drain−sourceの電圧 :60 Vdc
ドレイン - ゲート電圧(RGS = 1.0 M) :60 Vdc
熱抵抗、包囲されたへの接続点 :556 °C/W
して、TJ :+150 °Cへの−55
Tstg :+150 °Cへの−55
パッケージ :SOT−23
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2N7002L

小信号MOSFET 60 V、115 mA、NチャネルSOT-23

特徴

•鉛フリーパッケージが利用可能

V(BR)DSS R DS MAX(上) I D MAX
60V

7.5 @ 10V、

500 mA

115 mA

最大定格

評価 シンボル 単位
ドレイン - ソース間電圧 V DSS 60 Vdc
ドレイン-ゲート電圧(R GS = 1.0 M) V DGR 60 Vdc

ドレイン電流

-連続T C = 25°C(注1)

-連続T C = 100°C(注1)

- パルス(注2)

I D

I D

DM

±115

±75

±800

mAdc

ゲート - ソース間電圧

- 連続

- 非繰り返し(tp≦50μs)

V GS

V GSM

±20

±40

Vdc

Vpk

最大定格は、それを超えてデバイスが損傷する可能性がある値です。 デバイスに適用される最大定格は、個々のストレス限界値(通常の動作条件ではない)であり、同時に有効ではありません。 これらの制限を超えると、デバイスの機能動作が暗示されず、損傷が発生し、信頼性に影響を与える可能性があります。

パッケージ寸法

株式オファー(ホット・セール)

部品番号 数量 MFG D / C パッケージ
MP2104DJ-1.8 5735 MPS 16+ SOT
MP2104DJ-LF-Z 10000 MPS 16+ SOT
MAX3221IPWR 10300 TI 15歳以上 TSSOP
BD82NM70 SLJTA 549 インテル 13+ BGA(BGA)
PIC32MX564F128L-I / PT 500 マイクロチップ 15歳以上 TQFP-100
ATTINY2313-20SU 3779 ATMEL 15歳以上 SOP-20
LT1761ES5-3.3#TR 10610 LT 16+ SOT-23-5
NUP2105LT1G 30000 16+ SOT23-6
PDS1040L-13 13780 DIODES 16+ SMD
LM335M 4854 NSC 14+ SOP-8
MIC94052YC6 6718 MIC 16+ SC70-5
MC74VHC1G04DTT1 10000 16+ SOT
LP38501TJ-ADJ 634 TI 14+ TO-263
LP5951MGX-2.5 5596 NSC 15歳以上 SC70-5
MJE18008 65000 15歳以上 TO-220
LP3872EMPX-3.3 3743 NSC 15歳以上 SOT-223
ABS25-32.768KHZ-6-T 3000 アブラコン 15歳以上 SMD
PIC10F206T-I / OT 9000 マイクロチップ 16+ SOT
MAX202IDR 7600 TI 16+ SOP
30521 * 624 ボッシュ 10+ SOP-20
MC14504BCPG 4270 16+ 浸漬

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