連絡先
会社名：
シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。
会社の場所:
#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
工場立地:
26-32#のLiamei Rd. Lianhuaの工業地域、シアムン361100、はさみ中国
従業員の数:
50~100
事業の種類：
Manufacturer Exporter Seller
ブランド:
POWERWAY
ウェブサイト：
http://www.ganwafer.com/
（低い転位密度の20-2-1の）平面のN-GaN支えがないGaNの基質
平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質
磨かれる二重側面とEpi準備ができた10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質
（11-22） U-GaN支えがないガリウム窒化物（GaN）の水晶基質を平にしなさい
（Nonodevicesのための10-11の）平面のN-GaN支えがないGaNの基質
ショットキー バリア・ダイオード（SBDs）のための無極性Mの平面SiGaN支えがないGaNの基質
10*10mm2はGaNの電力増幅器のためのサファイアの基質のGaNのエピタキシアル ウエファーをMg添加した
MOCVDでサファイアの基質のGaNのウエファーを半絶縁する2インチ
2インチのLED、LDまたはHEMTの構造のための支えがないN-GaNバルクGaNの基質
4 III窒化物の半導体材料としてGaNの支えがない基質をじりじり動かしなさい
6Hまたは4H SiCの基質、NのタイプまたはSemi-Insulating - Powerwayのウエファー
C （0001） 6H NのタイプSiCのウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
オン軸線6H NのタイプSiC （炭化ケイ素）のウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
6H NのタイプSiCのウエファー、模造の等級、2"サイズ- SiCのウエファーの製造者
4H NのタイプSiC （炭化ケイ素）のウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
