連絡先
会社名:
シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。
会社の場所:
#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
工場立地:
26-32#のLiamei Rd. Lianhuaの工業地域、シアムン361100、はさみ中国
従業員の数:
50~100
事業の種類:
Manufacturer Exporter Seller
ブランド:
POWERWAY
ウェブサイト:
http://www.ganwafer.com/
(低い転位密度の20-2-1の)平面のN-GaN支えがないGaNの基質
平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質
磨かれる二重側面とEpi準備ができた10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質
(11-22) U-GaN支えがないガリウム窒化物(GaN)の水晶基質を平にしなさい
(Nonodevicesのための10-11の)平面のN-GaN支えがないGaNの基質
ショットキー バリア・ダイオード(SBDs)のための無極性Mの平面SiGaN支えがないGaNの基質
10*10mm2はGaNの電力増幅器のためのサファイアの基質のGaNのエピタキシアル ウエファーをMg添加した
MOCVDでサファイアの基質のGaNのウエファーを半絶縁する2インチ
2インチのLED、LDまたはHEMTの構造のための支えがないN-GaNバルクGaNの基質
4 III窒化物の半導体材料としてGaNの支えがない基質をじりじり動かしなさい
6Hまたは4H SiCの基質、NのタイプまたはSemi-Insulating - Powerwayのウエファー
C (0001) 6H NのタイプSiCのウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
オン軸線6H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
6H NのタイプSiCのウエファー、模造の等級、2"サイズ- SiCのウエファーの製造者
4H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ