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シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

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GaNのウエファー

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シティ：xiamen
省/州：fujian
国/地域：china
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 GaNのウエファー
China （低い転位密度の20-2-1の）平面のN-GaN支えがないGaNの基質 for sale

（低い転位密度の20-2-1の）平面のN-GaN支えがないGaNの基質

（低い転位密度の20-2-1の）平面のN-GaN支えがないGaNの基質 PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育......
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China 平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質 for sale

平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質

平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質 PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて......
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China 磨かれる二重側面とEpi準備ができた10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質 for sale

磨かれる二重側面とEpi準備ができた10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質

二重側面の磨かれたPAM-XIAMENとEpi準備ができた10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質はUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立した。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）の技術によって育てられて....
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China （11-22） U-GaN支えがないガリウム窒化物（GaN）の水晶基質を平にしなさい for sale

（11-22） U-GaN支えがないガリウム窒化物（GaN）の水晶基質を平にしなさい

（11-22） U-GaN支えがないガリウム窒化物を平にしなさい（GaN）水晶基質PAM-XIAMENがUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立した。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）の技術によって育てられて、GaN...
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China （20-21の）平面の半北極のN-GaN支えがないGaNの水晶の基質 for sale

（20-21の）平面の半北極のN-GaN支えがないGaNの水晶の基質

（20-21の）平面の半北極のN-GaN支えがないGaNの水晶の基質 PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて......
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China （20-2-1） SiGaN支えがないガリウム窒化物（GaN）のウエファーを平にしなさい for sale

（20-2-1） SiGaN支えがないガリウム窒化物（GaN）のウエファーを平にしなさい

（20-2-1）支えがないガリウム窒化物（GaN）のウエファーPAM-XIAMENがUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立したSiGaNを平にしなさい。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）の技術によって育てられて.....
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China （20-21の）平面SiGaN支えがなく純粋なガリウム窒化物（GaN）のウエファー for sale

（20-21の）平面SiGaN支えがなく純粋なガリウム窒化物（GaN）のウエファー

（20-21の）平面SiGaN支えがなく純粋なガリウム窒化物（GaN）のウエファーPAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立した。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）の技術によって育てられて、GaN...
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China N-GaN平らな支えがないGaNの基質 for sale

N-GaN平らな支えがないGaNの基質

N-GaN平らな支えがないGaNの基質 PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度が......
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China Iii窒化物LDsのための10*10mm2 SiGaN支えがないGaNの基質 for sale

Iii窒化物LDsのための10*10mm2 SiGaN支えがないGaNの基質

Iii窒化物LDsのための10*10mm2 SiGaN支えがないGaNの基質 PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育......
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China Mの平面のU-GaN支えがないGaN （ガリウム窒化物）の基質- Powerwayのウエファー for sale

Mの平面のU-GaN支えがないGaN （ガリウム窒化物）の基質- Powerwayのウエファー

Mの平面のU-GaN支えがないGaN （ガリウム窒化物）の基質- Powerwayのウエファー PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE......
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