シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
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平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質

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シティ:xiamen
省/州:fujian
国/地域:china
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平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質

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原産地 :中国
最低順序量 :1-10,000pcs
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :10,000のウエファー/月
受渡し時間 :5-50仕事日
包装の細部 :、単一の容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
項目 :PAM-FS-GAN A-SI
製品名 :SIGaN支えがないGaNの基質
伝導のタイプ :半絶縁します
ディメンション :5 x 10 mm2
厚さ :350 ±25 μm 430±25μm
他の名前 :ganウエファー
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平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質

 

PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない(ガリウム窒化物) GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。

 

PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。

 

ここに詳細仕様を示します:

平面SiGaN支えがないGaNの基質

項目 PAM FSGaN A-SI
次元 5つx 10のmm2
厚さ 350 ±25 µm 430±25のµm
オリエンテーション

M軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた平面(11-20)

C軸線-1 ±0.2°の方の角度を離れた平面(11-20)

伝導のタイプ 半絶縁
抵抗(300K) > 10 6 Ω·cm
TTV ≤ 10のµm
-10 µmの≤の弓≤ 10のµm
表面の粗さ:

前側:RA<0>

裏側:良い地面または磨かれる。

転位密度 1 x 10 5から5 x 106 cm-2から
マクロ欠陥密度 0のcm-2
使用可能な区域 > 90% (端の排除)
パッケージ 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

平面SiGaN支えがないGaNの基質

高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要は半導体工業に半導体として使用される材料の選択を再考させます。例えば、さまざまでより速く、より小さい計算装置が起こると同時に、ケイ素の使用はムーアの法律を支えることを困難にしています。しかしまたパワー エレクトロニクスに、ケイ素の特性は変換効率のそれ以上の改善を許可してもはや十分ではないです。

 

独特な特徴(高い最高の現在、高い絶縁破壊電圧および高い転換の頻度が)の原因、ガリウム窒化物(かGaN)未来のエネルギー問題を解決する選択の独特な材料はです。GaNはシステムを持っていて高い発電の効率を基づかせていて、従って従って減少の電源切れはより高い頻度で、転換しま、サイズおよび重量を減らします。

 

 

XRDの動揺のカーブGaN材料テスト レポート

 

テスト レポートは注文の記述と私達の最終的なウエファー データ間の承諾を示して必要です。ウエファーが習慣specに一致させなければ私達はX線Orientator等によって偏光顕微鏡によって無接触抵抗の試験装置によってローマ スペクトルの器械によって原子力の顕微鏡によって表面の粗さ、タイプ、抵抗、micropipe密度、オリエンテーションをテストする郵送物の前に装置によってウエファーが条件を満たせばウエファーのcharacerizationを、私達きれいになりますテストし、100つのクラスのクリーン ルームのそれらを詰めるために、それを取ります。

 

全幅半高さは(FWHM)最高の半分と等しい独立変数の2つの極度な価値間の相違によって与えられる機能の範囲の表現です。すなわち、それは最高の広さ半分ののY軸のそれらのポイントの間で測定される分光カーブの幅です。

 

GaNの文書のXRDの動揺のカーブの例は次あります:

平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質

 

GaNの文書のXRDの動揺のカーブ

 
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