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6H NのタイプSiCのウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
PAM-XIAMENは研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の半導体の炭化ケイ素のウエファー、6HSiCおよび4H SiCを提供します。私達はGaNepitaxydevice、powerdevices、高温装置および光電子工学装置で加えられる製造業者にSiCsubstrate生産ライン確立されるSiCの結晶成長の技術およびSiCの水晶ウエファーの加工技術を開発しました。高度およびハイテクで物質的な研究および州の協会および中国の半導体の実験室の分野からの一流の製造業者によって投資される基質の質を現在改善し、大型の基質を開発するために専門の会社が私達絶えず捧げられるように。
ここに詳細仕様を示します
ここに詳細仕様を示します:
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
6H NのタイプSiCのウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
| 基質の特性 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| 記述 | 研究の等級6H SiCの基質 |
| Polytype | 6H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| キャリアのタイプ | nタイプ |
| 添加物 | 窒素 |
| 抵抗(RT) | 0.02 | 0.1 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | <50 arcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線 | <0001>± 0.5° |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の3.5° |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
SiCの結晶成長
バルク結晶成長はそれ以上の装置処理のための基盤を作る単一の結晶の基質の製作のための技術です。SiCの技術の進歩があるためには明らかに私達は再生可能なprocess.6H-のSiCの基質の生産は必要とし、4H- SiCの水晶はるつぼの実用温度が誘導の（RF）または抵抗暖房によって提供される2100-2500°C.まで高温のグラファイトのるつぼで育ちます。成長は薄いSiCの種で行われます。源は多結晶性SiCの粉充満を表します。グロース チャンバのSiCの蒸気は3つの種、搬送ガスによって薄くなる即ち、Si、Si2CおよびSiC2から主に、例えば、アルゴン成っています。SiCの源の進化は気孔率および微粒の直径の時間両方変動および粉の微粒の黒鉛化を含んでいます。
格子変数
格子定数、か格子変数は、結晶格子の単位格子間の一定した間隔を示します。3つの次元の格子に一般にa、bおよびc.と言われる3つの格子定数があります。但し、立方結晶構造の特例に、定数すべては等しく、私達はa.だけを参照します。同様に、六角形の結晶構造で、andbの定数は等しく、私達はaおよびcの定数だけを参照します。格子定数のグループは格子変数と言うことができます。但し、格子変数のフル セットはその間の3つの格子定数そして3つの角度から成っています。
共通カーボン ダイヤモンドのために一定した例えば格子は300 K.にa = 3.57Åあります。構造は実際の形が格子定数だけから断固としたである場合もないが等辺です。なお、実質の適用で、普通平均格子定数は与えられます。格子定数に長さの次元があるので、SIの単位はメートルです。格子定数はの複数のオングストローム（すなわちtenthsナノメーター）の発注に普通あります。格子定数はX線回折のようなまたは原子力の顕微鏡との技術を使用して断固としたである場合もあります。
エピタキシアル成長では、格子定数は異なる材料の間の構造両立性の測定です。格子定数の一致は他の材料の材料の薄層の成長のために重要です;定数が異なるとき、緊張は欠陥なしでより厚い層のエピタキシアル成長を防ぐ層にもたらされます。 