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6H NのタイプSiCのウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
PAM-XIAMENは良質の単結晶SiC (炭化ケイ素)のwaferfor電子および光電子工学工業を提供します。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体のmaterialwithの独特な電気特性そして優秀な熱特性です。SiCのウエファーは直径で2~6インチNタイプ、窒素および半絶縁のタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができます。より多くの情報のための私達に連絡して下さい。
炭化ケイ素の物質的な特性
Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
6H NのタイプSiCのウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ
基質の特性 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
記述 | 生産の等級6H SiCの基質 |
Polytype | 6H |
直径 | (50.8 ± 0.38) mm |
厚さ | (250 ± 25) μm (330 ± 25)のμm (430 ± 25)のμm |
キャリアのタイプ | nタイプ |
添加物 | 窒素 |
抵抗(RT) | 0.02 | 0.1 Ω·cm |
表面の粗さ | < 0.5 nm (Epi準備ができたSi表面CMP);<1 nm (C-の表面光学光沢) |
FWHM | <30 arcsec <50のarcsec |
Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
表面のオリエンテーション | |
軸線 | <0001>± 0.5° |
軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の3.5° |
第一次平らなオリエンテーション | {1-100の} ± 5°を平行にして下さい |
第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から |
C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
使用可能な区域 | ≥ 90% |
端の排除 | 1つのmm |
SiCの結晶構造
polytypesと呼ばれるSiCの水晶に多くの異なった結晶構造があります。現在電子工学のために成長するSiCの共通のpolytypesは立方3C SiC、六角形4H SiCおよび6H SiCおよびrhombohedral 15R SiCです。これらのpolytypesはSiCの構造のbiatomの層の積み重ね順序によって特徴付けられます。詳細については、私達のエンジニアのチームを尋ねて下さい。
順序の積み重ね:
薄板にされた構造を作ろうと思えば私達は最上層から定義される程度で各層の厚さおよび各層の角度を伝統的に知らなければなりません。
スケールの点では表現される傷付くか、または摩耗への滑らかな表面の抵抗の荒い測定ドイツの鉱物学者がフリードリッヒ・モース(1812)案出する。鉱物のMohsの硬度は表面が知られていたか、または定義された硬度の物質によって傷付くかどうかの観察によって定められます。
密度:
材料の多く密度の か密度は単位体積ごとの固まりです。密度のために最も頻繁に使用される記号はρ (小文字のギリシャの手紙のrho)です。数学的に、密度は容積分けられる固まりと定義されます: