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PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供します。私達はGaNのエピタクシー装置、力装置、高温装置および光電子工学装置で加えられる製造業者SiCの基質に生産ライン確立されるSiCの結晶成長の技術およびSiCの水晶ウエファーの加工技術を開発しました。高度およびハイテクで物質的な研究および州の協会および中国の半導体の実験室の分野からの一流の製造業者によって投資される基質の質を現在改善し、大型の基質を開発するために専門の会社が私達絶えず捧げられるように。
ここに詳細仕様を示します:
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
6H N-TYPE SiCの2つの″ （50.8mm）のウエファーの指定
| 基質の特性 | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| 記述 | A/Bの生産の等級C/Dの研究の等級Dの模造の等級6H SiCの基質 |
| Polytype | 6H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| キャリアのタイプ | nタイプ |
| 添加物 | 窒素 |
| 抵抗(RT) | 0.02 | 0.1 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50のarcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線 | <0001>± 0.5° |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の3.5° |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
SiCの2つの″ （50.8mm）のウエファーの指定を半絶縁する4H
（高純度の半絶縁の（HPSI） SiCの基質は利用できます）
| 基質の特性 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 記述 | 半A/Bの生産の等級C/Dの研究の等級Dの模造の等級4Hの基質 |
| Polytype | 4H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50のarcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線<0001>± 0.5° | |
| <11-20>± 0.5°の方の軸線3.5°を離れて | |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーションのSi表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
4H Nタイプか半絶縁SIC、5mm*5mmの10mm*10mmのウエファーの指定:厚さ:330μm/430μm
4H Nタイプか半絶縁SIC、15mm*15mmの20mm*20mmのウエファーの指定:厚さ:330μm/430μm
4H N-TYPE SiCの2つの″ （50.8mm）のウエファーの指定
| 基質の特性 | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 | |
| 記述 | A/Bの生産の等級C/Dの研究の等級Dの模造の等級4H SiCの基質 | |
| Polytype | 4H | |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm | |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm | |
| キャリアのタイプ | nタイプ | |
| 添加物 | 窒素 | |
| 抵抗(RT) | 0.012 – 0.0028 Ω·cm | |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） | |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50のarcsec | |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
| 表面のオリエンテーション | ||
| 軸線 | <0001>± 0.5° | |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の4°or 8° | |
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行{1-100} ± 5° | |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ±1.70）mm | |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | ||
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm | |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 | |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 | |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% | |
| 端の排除 | 1つのmm | |
4H N-TYPE SiCの3つの″ （76.2mm）のウエファーの指定
| 基質の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 記述 | A/Bの生産の等級C/Dの研究の等級Dの模造の等級4H SiCの基質 |
| Polytype | 4H |
| 直径 | （76.2 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （350 ± 25） μm （430 ± 25）のμm |
| キャリアのタイプ | nタイプ |
| 添加物 | 窒素 |
| 抵抗(RT) | 0.015 – 0.028Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50のarcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp | <25μm |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線 | <0001>± 0.5° |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の4°or 8° |
| 第一次平らなオリエンテーション | <11-20>±5.0° |
| 第一次平らな長さ | 22.22 mm±3.17mm |
| 0.875の″ ±0.125の″ | |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 11.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 傷 | どれも |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 2mm |
SiCの3つの″ （76.2mm）のウエファーの指定を半絶縁する4H
（高い純度半絶縁の（HPSI） SiCの基質は利用できます）
| 基質の特性 | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| 記述 | A/Bの生産の等級C/Dの研究の等級Dの模造の等級4H SiCの基質 |
| Polytype | 4H |
| 直径 | （76.2 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （350 ± 25） μm （430 ± 25）のμm |
| キャリアのタイプ | 半絶縁 |
| 添加物 | V |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50のarcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp | <25μm |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線 | <0001>± 0.5° |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の4°or 8° |
| 第一次平らなオリエンテーション | <11-20>±5.0° |
| 第一次平らな長さ | 22.22 mm±3.17mm |
| 0.875の″ ±0.125の″ | |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 11.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 傷 | どれも |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 2mm |
4H N-TYPE SiCの4つの″ （100mm）のウエファーの指定
| 基質の特性 | S4H-100-N-PWAM-330 S4H-100-N-PWAM-430 |
| 記述 | A/Bの生産の等級C/Dの研究の等級Dの模造の等級4H SiCの基質 |
| Polytype | 4H |
| 直径 | （100.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （350 ± 25） μm （430 ± 25）のμm |
| キャリアのタイプ | nタイプ |
| 添加物 | 窒素 |
| 抵抗(RT) | 0.015 – 0.028Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50のarcsec |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| TTV/Bow /Warp | <45μm |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線 | <0001>± 0.5° |
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の4°or 8° |
| 第一次平らなオリエンテーション | <11-20>±5.0° |
| 第一次平らな長さ | 32.50 mm±2.00mm |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 18.00 ± 2.00 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 傷 | どれも |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 2mm |
4H Nタイプか半絶縁SIC、5mm*5mmの10mm*10mmのウエファーの指定:厚さ:330μm/430μm
4H Nタイプか半絶縁SIC、15mm*15mmの20mm*20mmのウエファーの指定:厚さ:330μm/430μm
平面SiCのウエファー、サイズ:40mm*10mm、30mm*10mm、20mm*10mm、10mm*10mm、下記のようにspecs:
6H/4H Nのタイプ厚さ:330μm/430μmまたは習慣
6H/4H半絶縁の厚さ:330μm/430μmまたは習慣
半絶縁する4H SiC 4つの″ （100mm）のウエファーの指定
（高純度の半絶縁の（HPSI） SiCの基質は利用できます）
| 基質の特性 | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| 記述 | A/Bの生産の等級C/Dの研究の等級Dの模造の等級4H SiCの基質 | |
| Polytype | 4H | |
| 直径 | （100 ± 0.5） mm | |
| 厚さ | （350 ± 25） μm （500 ± 25）のμm | |
| キャリアのタイプ | 半絶縁 | |
| 添加物 | V | |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm | |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） | |
| FWHM | A<30 arcsec B/C/D <50のarcsec | |
| Micropipe密度 | A≤5cm-2 B≤15cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
| TTV/Bow /Warp | TTV<10μm;TTV< 25μm;WARP<45μm | |
| 表面のオリエンテーション | ||
| 軸線 | <0001>± 0.5° | |
| 軸線を離れて | どれも | |
| 第一次平らなオリエンテーション | <11-20>±5.0° | |
| 第一次平らな長さ | 32.50 mm±2.00mm | |
| 二次平らなオリエンテーション | Si表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | ||
| 二次平らな長さ | 18.00 ± 2.00 mm | |
| 表面の終わり | 磨かれる二重表面 | |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 | |
| 傷 | 総累積長さの1つのxのウエファーの直径への<8傷 | |
| ひび | どれも | |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% | |
| 端の排除 | 2mm | |
4H SiC、N-TYPEの6つの″ （150mm）のウエファーの指定
| 基質の特性 | S4H-150-N-PWAM-350 | |
| 記述 | 模造の等級2 | |
| Polytype | 4H | |
| 直径 | （150 ± 0.2） mm | |
| 厚さ | （350 ± 25） μm | |
| キャリアのタイプ | nタイプ | |
| 添加物 | 窒素 | |
| 抵抗(RT) | 0.015 – 0.028Ω·cm | |
| 表面の粗さ | < 0.5 nm （Epi準備ができたSi表面CMP）;<1 nm （C-の表面光学光沢） | |
| Micropipe密度 | N/A | |
| TTV | ≤30μm | |
| 弓 | ≤120μm | |
| ゆがみ | ≤150μm | |
| 表面のオリエンテーション | ||
| 軸線を離れて | <11-20>± 0.5°の方の4° | |
| 第一次平らなオリエンテーション | <10-10>±5.0° | |
| 第一次平らな長さ | 47.50 mm±2.50mm | |
| 表面の終わり | 磨かれる二重表面 | |
| 端の排除 | 3mm | |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 | |
下の副カタログを見て下さい:
6H nのタイプSiC
4H NのタイプSiC
SiCを半絶縁する4H
SiCのインゴット
重ね合わせられたウエファー
磨くウエファー