シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
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SiCのウエファー

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シアムンPOWERWAYは先端材料CO.、株式会社を。
シティ:xiamen
省/州:fujian
国/地域:china
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 SiCのウエファー

6Hまたは4H SiCの基質、NのタイプまたはSemi-Insulating - Powerwayのウエファー

製品の説明PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水晶ウエファーの加工技術はGaNのエピタクシー装置、力装置、高温装置および光電子工学装置で加えられ...
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C (0001) 6H NのタイプSiCのウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ

C (0001) 6H NのタイプSiCのウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"はPAM-XIAMENを提供する研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の半導体の炭化ケイ素のウエファー、6HSiCおよび4H SiCを大きさで分類する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水...
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オン軸線6H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ

オン軸線6H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"はサイズPAM-XIAMEN良質の単結晶SiC (炭化ケイ素)のwaferfor電子および光電子工学工業を提供する。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体......
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6H NのタイプSiCのウエファー、模造の等級、2"サイズ- SiCのウエファーの製造者

6H NのタイプSiCのウエファー、模造の等級、2"サイズ- SiCのウエファーの製造者 PAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供します。私達はGaNepitaxydevice、powe......
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4H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ

4H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、研究の等級、準備ができたEpi 2"サイズ PAM-XIAMENは良質の単結晶SiC (炭化ケイ素)のwaferfor電子および光電子工学工業を提供します。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体のmateria......
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4H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"サイズ

4H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のウエファー、生産の等級、準備ができたEpi 2"はサイズPAM-XIAMEN半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水晶ウエファー...
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4H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のようにカットのウエファー、2"サイズ- Powerwayのウエファー

4H NのタイプSiC (炭化ケイ素)のようにカットのウエファー、2"サイズ- PowerwayのウエファーPAM-XIAMENは良質の単結晶SiC (炭化ケイ素)のwaferfor電子および光電子工学工業を提供する。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体......
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4H NのタイプSiCのラップのウエファー、光学等級、2"サイズ- Powerwayのウエファー

4H NのタイプSiCのラップのウエファー、光学等級、2"サイズ- PowerwayのウエファーPAM-XIAMENは半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水晶ウエファ...
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Micropipe低い密度、2"の4H NのタイプSiCの水晶ウエファー サイズ

Micropipe低い密度、2"の4H NのタイプSiCの水晶ウエファーは電子および光電子工学の企業にサイズPAM-XIAMEN良質の単結晶SiC (炭化ケイ素)のウエファーを提供する。SiCのウエファーは高温および高い発電装置塗布のための次世代の半導体のmaterialwithの独特な電気特性そし...
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Off-Axis 4H NのタイプSiCの半導体ウエハー、研究の等級、3"サイズ

Off-Axis 4H NのタイプSiCの半導体ウエハー、研究の等級、3"はサイズPAM-XIAMEN半導体の炭化ケイ素のウエファー、6H SiCおよび研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の4H SiCを提供する。私達はSiCの結晶成長の技術を開発し、SiCの水晶ウエファーの加工技術.....
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