XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
シアムンPOWERWAYの先端材料CO.、株式会社。
（低い転位密度の20-2-1の）平面のN-GaN支えがないGaNの基質
平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質
磨かれる二重側面とEpi準備ができた10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質
（11-22） U-GaN支えがないガリウム窒化物（GaN）の水晶基質を平にしなさい
（Nonodevicesのための10-11の）平面のN-GaN支えがないGaNの基質
ショットキー バリア・ダイオード（SBDs）のための無極性Mの平面SiGaN支えがないGaNの基質
10*10mm2はGaNの電力増幅器のためのサファイアの基質のGaNのエピタキシアル ウエファーをMg添加した
MOCVDでサファイアの基質のGaNのウエファーを半絶縁する2インチ
2インチのLED、LDまたはHEMTの構造のための支えがないN-GaNバルクGaNの基質
4 III窒化物の半導体材料としてGaNの支えがない基質をじりじり動かしなさい
