XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

シアムンPOWERWAYの先端材料CO.、株式会社。

PAM-XIAMENはOEMを受け入れますまたはepiのsericeのためのNDAの一致の下のODM順序は、普通、研究者およびエンド ユーザーが固定問題を解決することを好むこれらを採用するために修理された装置設計を調節する必要があるように、です頻繁に多くカスタム設計し。

2008年に、2インチの炭化ケイ素のウエファーの生産ラインは首尾よく技術的なダバッギング、今それを実現しますSBD、ピン、MOSFETおよび他の装置のための6インチSiCのウエファーのR & Dそして製造業を完了しました。

PAM-XIAMENは国際的にMOCVDのエピタキシアル炉およびエピタキシアル性格描写装置の6インチの化合物半導体の破片の生産ライン、破片の検出システム、信頼性の試験制度およびアプリケーション開発システムのウエファーを進めました。:ガリウム窒化物（GAN）の半導体の基質材料、GaN/AI2O3合成の基質、GaNの単結晶は基質および水素化合物の蒸気段階のエピタクシー装置(HVPE)、等Siのエピタキシアル ウエファーの150のmm GaNの月例生産能力800wafersに達し、SiCの4-8インチGaN/サファイアのエピタキシアル ウエファーは首尾よく作り出されました。エピタキシアル ウエファーは十分に企業の高圧力の電子デバイスのアプリケ−ション使用要件を満たすことができるエピタキシアル材料の高い水晶質、高い均等性および高い信頼性を維持します。

PAM-XIAMENは力管理で主に、太陽インバーター、電気自動車および産業モーター ドライブおよび他の分野使用されるパワー エレクトロニクスのための6インチ650 Vケイ素ベースのGaNのエピタキシアル ウエファーの大量生産にありました。マイクロウェーブおよび無線周波数の分野では、会社はケイ素ベースのガリウム窒化物のエピタキシアル材料の開発、R & Dを遂行し、無線周波数のウエファーの産業準備はまた進水しました。

研究開発および応用研究に焦点を合わせているR & Dのチーム、（基礎研究と比較される）。と別生産の困難な問題を解決すること科学技術部、R & D部はR & Dの仕事より大きいインゴット、より大きいウエファーのサイズしかしより小さい欠陥および弓等を開発する新しいウエファーを、なお研究し、開発すること、です。

生産のチーム、インゴットの成長制御するために責任があるからのパッキングに全生産ラインを。

技術のチーム、生産deptからある、常に販売の後のへの照会からの提供の技術サポート。

Sales&marketingのチームは前部分に販売および販売法プロダクトに責任があるそこにセールス エンジニアのメンバー、文書を取扱う管理のメンバーおよび郵送物、ウェブサイト サポータです。

研究開発および応用研究に焦点を合わせているR & Dのチーム、（基礎研究と比較される）。

チームを購入します、機械、装置および材料を買うために責任がある

会計チーム、本社に属する。

2009年、PAM-XIAMENはGaNの技術を開発しましたり、GaNの水晶基質、エピタクシーおよびRF& Power& LED装置を統合します。それは半導体材料、エピタクシー、装置およびモジュール、およびGaNの文書およびSiC材料を含む半導体の第三世代の全企業の鎖を接続することのR & D、設計、生産および販売の統合になりました、

VCSELを孵化させて、電子デバイス、化合物半導体RF装置、ランプ包装モジュール レーザー包装モジュールおよび他の国際的な最先端の技術に動力を与えて下さい。

2007年のIII-Vの基質（を含むGaAsの基質、GaSbの基質、InSbの基質、InAsの基質およびINP基質、GaNの基質、AlNの基質）、材料に基づいてPAM-XIAMENの提供のepiサービスはGaInSb、InAs、AlSb、GaInNasSb、InGaAs、AlGaAs、InGaAsP、AlInGaAs、GaAlAs、InGaAlP、AlGaInP、InGaP、InGaN、AlGaNの適用を含んでいます力&RF、Photonics、LED、太陽電池および電子工学を覆います。

2004年、PAM-XIAMENは研究者および企業の製造業者のための異なった質等級の6H SiCおよび4H SiCのウエファーが付いている半導体SiCのウエファーを提供します。私達はSiCの結晶成長の技術およびSiCのウエファーの加工技術、6"への2"からのサイズの全生産ラインを開発しました。私達は炭化ケイ素装置の開発に6Hか4H基質で注文の薄膜（炭化ケイ素） SiCのエピタクシーを提供します。SiCのepiのウエファーはショットキー ダイオード、金属酸化膜半導体の分野効果のトランジスター、接続点分野効果のために主に使用されます。

2001年から、私達はマイクロエレクトロニクス、光学適用および太陽電池のためであるゲルマニウムのウエファーを含むゲルマニウム材料を開発し、作り出します。

1990年から、私達は研究するために捧げ、CZのシリコンの薄片およびインゴットを、十年後に作り出すために、>1000 ohm.cmのFZのシリコンの薄片を開発します。そして今私達は主な等級との12"に2"からのウエファーのサイズを提供し、等級をテストしてもいいです。

半導体材料の私達の29+経験のPAM-XIAMENの提供のウエファーの技術のコンサルタント サービス、私達はexpitaxyまたはまた他の適用のためにそれを使用するとき装置に基質からの知識、エピタクシー、および私達を接続する方法を知っていますあなたのための権利そして修飾された基質を選びか、または育てる方法を、私達知っています別の装置ができるようにウエファーの構造を調節する方法を知っています。

PAM-XIAMENの前部分からのバック・エンドへの半導体材料の私達の29+経験の提供によって修飾される半導体ウエハーおよびウエファーの技術のコンサルタント サービス、私達はexpitaxyまたはまた他の適用のためにそれを使用するとき装置に基質からの知識、エピタクシー、および私達を接続する方法を知っていますあなたのための権利そして修飾された基質を選びか、または育てる方法を、私達知っていますウエファーの構造を別の装置ができるように調節しあなたのために権利の構造を育てる方法を知っています。