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10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質
PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。
PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。
ここに詳細仕様を示します:
10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質
| 項目 | PAM FSGaN 50 N |
| 次元 | 10 x 10.5 mm2 |
| 厚さ | 350 ±25 µm 430±25のµm |
| オリエンテーション | M軸線0.35 ±0.15°の方の角度を離れたCの平面（0001） |
| 伝導のタイプ | Nタイプ |
| 抵抗（300K） | < 0.05 Ω·cm |
| TTV | ≤ 10のµm |
| 弓 | -10 µmの≤の弓≤ 10のµm |
| 表面の粗さ: | 前側:epi準備ができたRa<0.2nm; 裏側:良い地面または磨かれる。 |
| 転位密度 | 1 x 105から5x 106 cm-2への（CLによって計算される） * |
| マクロ欠陥密度 | 0のcm-2 |
| 使用可能な区域 | > 90% （端の排除） |
|
パッケージ | 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で |
10*10mm2 N-GaN支えがないGaNの基質
PAM-XIAMENのGaN （ガリウム窒化物）の基質は元のHVPE方法およびウエファーの加工技術となされる良質のsinglecrystal基質です。それらは高く結晶、よい均等性および優秀な表面質です。GaNの基質は多くの種類の適用のために、白いLEDおよびLD （すみれ色、青および緑）のための使用されます、なお開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩しました。
GaNは非常に堅いです（12±2 GPaの高熱容量および熱伝導性の機械的に安定した広いbandgapの半導体材料。純粋な形態ではそれは割れることを抵抗し、格子定数の不適当な組み合わせにもかかわらずサファイアまたは炭化ケイ素の薄膜で、沈殿することができます。GaNはケイ素(Si)またはnタイプへの酸素およびpタイプへのマグネシウム(Mg)と添加することができます。但し、SiおよびMg原子の変更GaNの水晶が育つ方法、抗張圧力をもたらしおよび壊れやすくさせます。Galliumnitrideの混合物はまた1平方センチメートルあたり108から1010の欠陥の順序の高い転位密度が、ありがちです。GaNの広いバンド ギャップの行動はバンド構造、充満職業および化学結合の地域の特定の変更に接続されます。
Transmitance-GaN材料テスト レポート
テスト レポートは注文の記述と私達の最終的なウエファー データ間の承諾を示して必要です。ウエファーが習慣specに一致させなければ私達はX線Orientator等によって偏光顕微鏡によって無接触抵抗の試験装置によってローマ スペクトルの器械によって原子力の顕微鏡によって表面の粗さ、タイプ、抵抗、micropipe密度、オリエンテーションをテストする郵送物の前に装置によってウエファーが条件を満たせばウエファーのcharacerizationを、私達きれいになりますテストし、100つのクラスのクリーン ルームのそれらを詰めるために、それを取ります。
テストのプロジェクト:Transmitance
ウエファーの表面の伝送は放射エネルギーの伝達の有効性です。透過係数と比較されて、それはサンプルを通して送信される事件電磁石力の一部分であり透過係数は事件の電界への送信された電界の比率です。
GaNの文書のTransmitanceの例は次あります:
GaNの文書のTransmitance