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10*10mm2によってGaN/サファイアのMg添加される基質
PAM-XIAMENの型板プロダクトはガリウム窒化物（GaN）、窒化アルミニウム（AlN）、アルミニウム ガリウム窒化物（AlGaN）およびサファイアの基質で沈殿するインジウム ガリウム窒化物（InGaN）の結晶の層から成っています。PAM-XIAMENの型板プロダクトは費用、収穫および性能の装置を改良できるより高い熱伝導性可能にします、およびよりよい構造質と20-50%より短いエピタクシーのサイクル時間そして良質のエピタキシアル装置層を。
サファイアの型板のPAMXIAMEN'sGaNは2"からの直径で利用でき6"まで、サファイアの基質で育つ結晶のGaNの薄層から成っています。利用できるEpi準備ができた型板今。
ここに詳細仕様を示します:
10*10mm2によってGaN/サファイアのMg添加される基質
| 項目 | PAMT GaN 10 P |
| 次元 | 10X10mm |
| 厚さ | 5 ±1 μm |
| GaNのオリエンテーション | 軸線0.2 ±0.1°の方の角度を離れたCの平面（0001） |
| GaNのオリエンテーションの平たい箱 | （1-100） 0 ±0.2°、16 ±1 mm |
| 伝導のタイプ | Pタイプ |
| 抵抗（300K） | | 10 Ω·cm |
| キャリア集中 | >6X1016CM-3 （concentration≥10x1020cm-3を添加する |
| 移動性 | | 10cm2/V·s |
| 転位密度 | < 5x108cm-2 （XRDのFWHMs著推定される） |
| 構造 | 2~2.5 μm pGaN/2~2.5のμmのpGaN uGaN/50nmのuGaNの緩衝layer/430±25μm |
| サファイアのオリエンテーション | M軸線0.2 ±0.1°の方の角度を離れたCの平面（0001） |
| サファイアのオリエンテーションの平たい箱 | （11-20） 0 ±0.2°、16 ±1 mm |
| 表面の粗さ: | 前側:epi準備ができたRa<0.5nm; 裏側:エッチングされるか、または磨かれる。 |
| 使用可能な区域 | > 90% （端およびマクロ欠陥の排除） |
| パッケージ | 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で |
FWHMおよびXRDのレポート
テスト レポートは注文の記述と私達の最終的なウエファー データ間の承諾を示して必要です。ウエファーが習慣specに一致させなければ私達はX線Orientator等によって偏光顕微鏡によって無接触抵抗の試験装置によってローマ スペクトルの器械によって原子力の顕微鏡によって表面の粗さ、タイプ、抵抗、micropipe密度、オリエンテーションをテストする郵送物の前に装置によってウエファーが条件を満たせばウエファーのcharacerizationを、私達きれいになりますテストし、100つのクラスのクリーン ルームのそれらを詰めるために、それを取ります。
テストのプロジェクト:FWHMおよびXRDのプロジェクト
全幅半高さは（FWHM）最高の半分と等しい独立変数の2つの極度な価値間の相違によって与えられる機能の範囲の表現です。すなわち、それは最高の広さ半分ののＹ軸のそれらのポイントの間で測定される分光カーブの幅です。
AlNの型板のFWHMそしてXRDの例は次あります:
AlNの型板のFWHMそしてXRD
AlNの型板のFWHMそしてXRD
ここに私達は実験を一例として示します:
サファイアのGaNの実験:脈打ったレーザーの沈殿による異なった基質のGaNの厚いフィルムの光電子工学の特性そして構造性格描写:
サファイアのGaNの実験:脈打ったレーザーの沈殿による異なった基質のGaNの厚いフィルムの光電子工学の特性そして構造性格描写:
すべてのGaNのフィルムのサンプルは窒素血しょう周囲の空気の1000の◦CのPLDによって異なった基質で沈殿しました。部屋は10−6トルに沈殿プロセスが始まった、N2のガスは（99.999%の純度と）もたらされました前にポンプでくまれ。N2血しょうが注入されたら働き圧力は1.13の× 10−4のトルでした。KrFのエキシマー レーザー（λ = 248 nm、Lambda Physik、Fort Lauderdale、FL、米国）は切除の源として用いられ、60 mJの1つのHzそしてパルス エネルギーの繰返し率と作動しました。GaNのフィルムの平均成長率はおよそ1 µm/h.でした。レーザ光線は45◦の回転ターゲットのの斜めに事件でした。GaNターゲットはフィルムの沈殿の間に30のrpmで回る前の基質からの9 cmの固定間隔のHVPEそしてセットによって製造されました。この場合、GaNの~4のµm厚いフィルムはGaN/サファイアの型板（A）のでサファイア（サンプルB）、Si （111） （サンプルC）、およびSi （100）サンプル育ちました（サンプルD）。サンプルAのGaNのために、2-µm GaNの層はMOCVDによってサファイアの基質で第一に沈殿しました。スキャンの電子顕微鏡検査（SEM、S-3000H、日立、東京、日本）、伝達電子microcopy （TEM、H-600、日立、東京、日本）、原子力の顕微鏡検査（AFM、DI-3100、Veeco、ニューヨーク、NY、米国）、二重水晶のX線回折（XRD、X'PertプロMRD、PANalytical、アルメロ、ネザーランド）、低温photoluminescence （PL、Flouromax-3、Horiba、東京、日本）、およびラマン分光学（Jobin Yvon、Horiba、東京、日本）は異なった基質で沈殿したGaNの型板の微細構造そして光学的性質を探検するために用いられました。GaNのフィルムの電気特性は77 Kで冷却する液体窒素の下のヴァンder Pauwホールの測定によって定められました
図4では、根の‐の平均の‐の正方形RMSはサンプルA、B、Cのために評価し、Dは2.1、3.4、14.3、および17.7 nm、それぞれです。サンプルAおよびBで育ったフィルムは3.4でRMSの荒さが滑らかな表面を、かなり表わし、2.1 nm、それぞれ、およびサンプルCおよびDのRMSの表面の粗さは14.3および17.7 nmとして、それぞれ推定されました。サンプルCおよびDのGaNのフィルムの表面の粗さのための大きい価値はフィルムと基質間の大きい格子不適当な組み合わせが原因であるかもしれません
XRDに言及されているように結晶粒度の増加を用いる表面のroughnessoccursの減少は、生じます
異なった基質RMSの図4.力の顕微鏡検査の(AFM)の原子育つGaNのフィルムの観察:2乗平均平方根