100V モスフェット

転換の電源のための10A 100V Mosfet力トランジスターAP10N10DY Mosfet力トランジスター記述: AP10N10D/Yの使用高度の堀の技術低いゲート充満を優秀なRDSに（）与えるように設計して下さい。それはいろいろ適用で使用することができます。 Mosf.........

FDPF045N10A Mosfet力トランジスターMOSFET 100VのN-ChannelのPowerTrench MOSFET 特徴 RDS （） =3.7mΩ （タイプ。） @VGS =10V、ID =67A 速い切り替え速度 低いゲート充満、Q.........

高い発電MOSFET FDI150N10のN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、57A、16mΩ 高い発電MOSFET FDI150N10のN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、57A、16mΩ 高い発電MOSFET.........

IRFP4468PBF MOSFET パワーエレクトロニクス 高速大電流 100V N チャネル MOSFET 製品説明: 1。100Vドレイン-ソース壊す電圧。 2。高い現在容量の以上40あ。 3。低いの上-レス距離の0。024Ω。 4。低いゲート.........

速い切換えのIRF540NS Nチャネル100V 33A 130W D2PAK MOSFET 特徴 高度の加工技術 超低いオン抵抗 動的dv/dtの評価 175°C実用温度 速い切換え 評価される十分になだれ 無鉛 記述 高度HEXFET®力のMOSFETsからの 国際的な整流器は高度の処理を利用し......

LG80N10AF 100V〜220F バッテリー保護用低電圧MOSFET 部分番号 パッケージ 死ぬ チャンネル 私はD (A) VDSS (V) VGSS (V) VGS (th)(V) RDS ((ON)10V (mΩ) RDS ((ON)4.5V (mΩ) Qg(.........

PはIRF9540NPBF TO-220 100V 23Aの高いスイッチング・トランジスタMOSFET力を運びます記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET®力のMOSFETsが有名の.........

STP45N10F7によって統合されるICの破片Nチャネル力のMOSFETS 100V 0.013オームのタイプ45A 条件: New&original 下記によって出荷: DHLUPSFedexEMSHKポスト、DHL、UPS、TNT、TNTまた.........

トランジスターIPD068N10N3GATMA1 N-Channel力MOSFETの表面の台紙のタイプ100V 90A IPD068N10N3GATMA1の製品の説明 IPD068N10N3GATMA1 100V OptiMOS™力のMOSFETsは高性能、高いパワー密度SMP.........

FDB3632/FDP3632/FDI3632 NチャネルのPowerTrench® MOSFET 100V、80A、9mΩ 特徴 •rDS （） = 7.5mΩ （Typ。）、VGS = 10V、ID = 80A •Qg （幼児） = 84nC （Typ。）、VGS = 10V .........

プロダクト細部 包装 管 部分の状態活動的 FETのタイプN-Channel 技術MOSFET （金属酸化物） 流出させなさいに源の電圧（Vdss）100V 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C72A （Tc） ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V （最高） @ ID、VgsのRds.......

Infineon Pnp力トランジスターIRF9530PBF -100V -14A 200 MOhms 1つのP-Channel 38.7 NC 適用 高められた険しさ 配分パートナーからの広い供給 業界標準の資格 低頻度の適用の高性能 標準的なピンはdrop-inの取り替えを可能に.........

IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v104AトランジスタTO-220ABHEXFET FETs MOSFET トランジスタNチャネル180A200WスルーホールTO-220ABHEXFET FETMO.........

製品の説明 IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104AのトランジスターTO-220AB HEXFET FETsのMOSFETs 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したトラ.........

FDS3992 Mosfetの配列100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC データ用紙:FDS3992 部門 FET、MOSFETは配列する Mfr onsemi シリーズ PowerTrench プロダクト状態 活動的 技術 MOSFET （金属酸化物） 構成 2 N-Channel ......

FDMQ8203 MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLPオリジナルMosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. FDMQ8203デュアル・チャネルFET、MOSFET、NおよびPチャネル、6 A、100ボルト、0.085オーム、10ボルト、3ボルト2。彼のクォー........

IRF540NSTRLPBF 良質HEXFE力MOSFETのトランジスター100V 44mΩ 33A新しい原物 細部の変数: 高度HEXFET力のMOSFETsからの 包装:- 263にタイプ:Nチャネル25°Cの連続的な下水管の流れ（ID）:33A下水管源の電圧（VDSS）.........

FDMC86139P 4.4A 15A PチャネルMOSFET 100V Moc分野効果の管 FDMC86139P Moc分野効果の管Pチャネル100V 4.4a /15A 8MLP QFN8 製造業者: onsemi 製品カテゴリ:......

INFINEONチップ IRFP4468PBF MOSFET N-CH 100V 195Aから247AC 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO.........

IPB180N10S402ATMA1 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 部門 分離した半導体製品 単一トランジスター- FETs、MOSFETs -...