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製品の説明
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104AのトランジスターTO-220AB HEXFET FETsのMOSFETs
穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したトランジスターN-Channel 180A 200W
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
記述:
このHEXFET®力MOSFETはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。
このプロダクトの付加的な特徴は175°C接続点実用温度、速く切り替え速度および改善された反復的ななだれの評価である。これらの特徴はこの設計にいろいろ適用の使用のための非常に有効な、信頼できる装置をするために結合する。
N-Channel 180A （穴TO-220ABの指定によるTc） 200W （Tc）:
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部門
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分離した半導体製品
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単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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インフィニオン・テクノロジーズ
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シリーズ
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HEXFET®
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パッケージ
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管
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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40ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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180A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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3.7mOhm @ 75A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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150 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4340 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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200W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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穴を通して
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製造者装置パッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/場合
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TO-220-3
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基礎プロダクト数
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IRF1404
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