製品カテゴリ

ICのメモリーチップ

[23]

集積回路の破片

[74]

コンピュータIC破片

[13]

力管理IC

[24]

PCBのコネクター

[149]

UVC LEDランプ

[49]

一般目的の整流器ダイオード

[60]

NPN PNPのトランジスター

[64]

SMDの破片の抵抗器

[29]

SMDのチップ・コンデンサ

[41]

スイッチを離れた押しボタン

[14]

IGBT力モジュール

[26]

サイリスタモジュール

[7]

RFの無線モジュール

[11]

SMDの破片誘導器

[11]

エア・クオリティのガスセンサー

[9]

LEDの照明部品

[10]

低い信号のリレー

[26]

水晶および発振器

[10]

他の電子部品

[48]

企業との接触

デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：MrsVIVI

表示連絡先の詳細

企業との接触

China IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE力MOSFETのトランジスター wholesale

IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE力MOSFETのトランジスター

最新の価格を尋ねる

型式番号 :IRF540NSTRLPBF

原産地 :ドイツ

最低順序量 :10pcs

支払の言葉 :T/T、paypalウェスタン・ユニオン

供給の能力 :10,000pcs

受渡し時間 :標準的な2-3days

包装の細部 :巻き枠

PN :IRF540NSTRLPBF-1

ブランド :Infineon

原物 :ドイツ

Pakcage :TO-263

電圧 :100v

現在 :33A

頻度 :44mΩ

タイプ :HEXFE力MOSFETのトランジスター

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

IRF540NSTRLPBF 良質HEXFE力MOSFETのトランジスター100V 44mΩ 33A新しい原物

細部の変数:

高度HEXFET力のMOSFETsからの

包装:- 263に
タイプ:Nチャネル
25°Cの連続的な下水管の流れ（ID）:33A
下水管源の電圧（VDSS）:100V
ゲートの源の境界の電圧:4V @ 250uA
抵抗の漏出源:44 MQ2@16A、10V
最高の電力損失:130W

特徴

か。高度の加工技術

か。超低いオン抵抗

か。動的dv/dtの評価

か。175°C実用温度

か。速い切換え

か。評価される十分になだれ

か。無鉛

記述

国際的な整流器からの高度HEXFETÆ力のMOSFETsは高度の処理を利用する

ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成する技術。

速い切り替え速度および高耐久化された装置設計と結合されるこの利点

そのHEXFET力のMOSFETsは非常に有効のを有名のために、与えるデザイナーにである

そしていろいろ適用の使用のための信頼できる装置。

D2PakはHEX-4まで死ぬ収容するサイズことができる表面の台紙力のパッケージである。

それはあらゆる既存の表面の台紙のパッケージの抵抗で高い発電の機能および最も低い可能の提供する。

D2Pakは低い内部関係の抵抗のために高い現在の適用のために適している

そして典型的な表面の台紙の塗布の2.0Wまで散ることができる。

によ穴版（IRF540NL）は控えめな適用のために利用できる。

IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE力MOSFETのトランジスター

デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社
電子メール:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN