IRFP4468PBF MOSFET パワーエレクトロニクス高電流 100V N チャネル MOSFET
型式番号:IRFP4468PBF
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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製品詳細
IRFP4468PBF MOSFET パワーエレクトロニクス 高速大電流 100V N チャネル MOSFET
製品説明:
1。100Vドレイン-ソース壊す電圧。
2。高い現在容量の以上40あ。
3。低いの上-レス距離の0。024Ω。
4。低いゲート充電の25nC。
5。高いスピード切り替えの以上30V/ns。
6。Eあせの平行リン。
7。低い熱の抵抗。
8。鉛-無料(ロHS準拠した）。
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.6ミリオーム @ 180A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 540 nC @ 10 V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 19860 pF @ 50 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 520W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247AC | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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