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国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET®力のMOSFETsが有名のためにであること速い切り替え速度および高耐久化された装置設計と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与えます。
D朴は蒸気段階、赤外線、または波のはんだ付けする技術を使用して表面取り付けのために設計されています。まっすぐな鉛版（IRFUシリーズ）はによ穴の土台の塗布のためです。電力損失のレベルは1.5ワットまで典型的な表面の台紙の塗布で可能です。
