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100V 80Aの9mз力MosfetのトランジスターはAEC Q101 UISの機能FDB3632に修飾しました

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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100V 80Aの9mз力MosfetのトランジスターはAEC Q101 UISの機能FDB3632に修飾しました

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型式番号 :FDB3632
原産地 :タイ
最低順序量 :20 pcs
支払の言葉 :T ・ T、ウェスタンユニオン、Paypal
供給の能力 :5200PCS
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
源の電圧に流出させて下さい :100 ボルト
源の電圧へのゲート :±20 V
連続的(T 80 A.C. < 111oC、VGS = 10V) :80 A
連続的(Tamb = 25oC、VGS = 10V、RθJA = 43oC/W) :12 A
単一の脈拍のなだれエネルギー(ノート1) :393 mJ
電力損失 :310 W
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FDB3632/FDP3632/FDI3632

NチャネルのPowerTrench® MOSFET 100V、80A、9mΩ

 

特徴

•rDS () = 7.5mΩ (Typ。)、VGS = 10V、ID = 80A

•Qg (幼児) = 84nC (Typ。)、VGS = 10V   100V 80Aの9mз力MosfetのトランジスターはAEC Q101 UISの機能FDB3632に修飾しました

•ミラー低い充満

•低いQRRボディ ダイオード

•UISの機能(単一の脈拍および反復的な脈拍)

•AEC Q101のに以前修飾される進化のタイプ82784

 

適用

•DC/DCのコンバーターおよびオフ・ラインUPS

•分散力の建築およびVRMs

•24Vおよび48Vシステムのための第一次スイッチ

•高圧同期整流器

•直接噴射/ディーゼル注入システム

•42V自動車負荷制御

•電子弁列車システム

 

 

100V 80Aの9mз力MosfetのトランジスターはAEC Q101 UISの機能FDB3632に修飾しました

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