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FDB3632/FDP3632/FDI3632
NチャネルのPowerTrench® MOSFET 100V、80A、9mΩ
特徴
•rDS () = 7.5mΩ (Typ。)、VGS = 10V、ID = 80A
•Qg (幼児) = 84nC (Typ。)、VGS = 10V
•ミラー低い充満
•低いQRRボディ ダイオード
•UISの機能(単一の脈拍および反復的な脈拍)
•AEC Q101のに以前修飾される進化のタイプ82784
適用
•DC/DCのコンバーターおよびオフ・ラインUPS
•分散力の建築およびVRMs
•24Vおよび48Vシステムのための第一次スイッチ
•高圧同期整流器
•直接噴射/ディーゼル注入システム
•42V自動車負荷制御
•電子弁列車システム