IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE力MOSFETのトランジスター
型式番号:IRF540NSTRLPBF
原産地:ドイツ
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、paypalウェスタン・ユニオン
供給の能力:10,000pcs
受渡し時間:標準的な2-3days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所：
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 41 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRF540NSTRLPBF 良質HEXFE力MOSFETのトランジスター100V 44mΩ 33A新しい原物
細部の変数:
高度HEXFET力のMOSFETsからの
包装:- 263に
タイプ:Nチャネル
25°Cの連続的な下水管の流れ（ID）:33A
下水管源の電圧（VDSS）:100V
ゲートの源の境界の電圧:4V @ 250uA
抵抗の漏出源:44 MQ2@16A、10V
最高の電力損失:130W
タイプ:Nチャネル
25°Cの連続的な下水管の流れ（ID）:33A
下水管源の電圧（VDSS）:100V
ゲートの源の境界の電圧:4V @ 250uA
抵抗の漏出源:44 MQ2@16A、10V
最高の電力損失:130W
特徴
か。高度の加工技術
か。超低いオン抵抗
か。動的dv/dtの評価
か。175°C実用温度
か。速い切換え
か。評価される十分になだれ
か。無鉛
記述
国際的な整流器からの高度HEXFETÆ力のMOSFETsは高度の処理を利用する
ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成する技術。
速い切り替え速度および高耐久化された装置設計と結合されるこの利点
そのHEXFET力のMOSFETsは非常に有効のを有名のために、与えるデザイナーにである
そしていろいろ適用の使用のための信頼できる装置。
D2PakはHEX-4まで死ぬ収容するサイズことができる表面の台紙力のパッケージである。
それはあらゆる既存の表面の台紙のパッケージの抵抗で高い発電の機能および最も低い可能の提供する。
D2Pakは低い内部関係の抵抗のために高い現在の適用のために適している
そして典型的な表面の台紙の塗布の2.0Wまで散ることができる。
によ穴版（IRF540NL）は控えめな適用のために利用できる。
デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社
電子メール:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN
電子メール:sales3@deli-ic.com
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IRF540NSTRLPBF 100V 33A HEXFE力MOSFETのトランジスター
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