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速い切換えのIRF540NSのN-Channel 100V 33A 130W D2PAK MOSFET
| 特徴 |
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高度の加工技術
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超低いオン抵抗
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動的dv/dtの評価
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175°C実用温度
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速い切換え
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評価される十分になだれ
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無鉛
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| 記述 |
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高度HEXFET®力のMOSFETsからの
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国際的な整流器は高度の処理を利用する
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極端に低いオン抵抗を每の達成する技術
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ケイ素区域。速いのと結合されるこの利点
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切り替え速度および高耐久化された装置設計それ
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HEXFET力のMOSFETsは有名のために、提供するである
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非常に有効ののデザイナーおよび信頼できる
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いろいろ適用の使用のための装置。
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D2Pakはが可能な表面の台紙力のパッケージである
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収容はサイズHEX-4まで死ぬ。それは提供する
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高い発電の機能および最も低く可能なオン
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既存の表面の台紙のパッケージの抵抗。
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D2Pakは高い現在の適用のために適しているのために
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その低い内部関係の抵抗は散り、
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典型的な表面の台紙の塗布の2.0Wに。
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によ穴版（IRF540NL）は低のために利用できる
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プロフィールの適用。
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製品特質
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 100V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 33A |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 44 mOhm @ 16A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1960pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 130W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C |