シンセンQuanyuantongの電子工学Co.、株式会社。

Shenzhen Quanyuantong Electronics Co., Ltd.

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IRFP4710 N-Channel力Mosfetのトランジスター力トランジスターIRFP4710PBF IRFP 100V 72A 190W TO-247

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IRFP4710 N-Channel力Mosfetのトランジスター力トランジスターIRFP4710PBF IRFP 100V 72A 190W TO-247

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原産地 :米国
型式番号 :IRFP4710PBF、IRFP460PBF
パッケージのタイプ :穴中
ブランド :MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
実用温度 :-55°C | 175°C (TJ)
土台のタイプ :穴を通して
パッケージ/場合 :TO-247-3
FETのタイプ :Nチャネル
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) :100v
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C :72A (Tc)
(最高) @ ID、VgsのRds :14mOhm @ 45A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID :5.5V @ 250µ
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs :170nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds :6160pF @ 25V
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) :10V
Vgs (最高) :±20V
タイプ :Field-Effectのトランジスター
パッケージ :TO-247
出荷 :DHL \ UPS \ Federal Express \ EMS \ HKは掲示します
パッキング :Tube&Reel&Tray
供給の能力 :859000PCS/Day
包装の細部 :箱/巻き枠/管
港 :HK
最低順序量 :10
受渡し時間 :1-7日
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal、Alibaba貿易順序
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プロダクト細部
包装
部分の状態活動的
FETのタイプN-Channel
技術MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)100V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C72A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)10V
(最高) @ ID、VgsのRds14 mOhm @ 45A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID5.5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs170nC @ 10V
Vgs (最高)±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds6160pF @ 25V
電力損失(最高)190W (Tc)
実用温度-55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け穴を通して
製造者装置パッケージTO-247AC

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