IRFB4310PBF 100V 130A FETHEXFETパワーMOSFETIRFB7440PBF 40V 120A

型式番号:IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
最低順序量:1部分
支払の言葉:T/T
受渡し時間:2~8仕事日
ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR
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製品詳細 会社概要
製品詳細

製品の説明

 

IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104AのトランジスターTO-220AB HEXFET FETsのMOSFETs

 

穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したトランジスターN-Channel 180A 200W

---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A

 

記述:
このHEXFET®力MOSFETはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。
このプロダクトの付加的な特徴は175°C接続点実用温度、速く切り替え速度および改善された反復的ななだれの評価である。これらの特徴はこの設計にいろいろ適用の使用のための非常に有効な、信頼できる装置をするために結合する。

N-Channel 180A (穴TO-220ABの指定によるTc) 200W (Tc):

部門
分離した半導体製品
 
単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
Mfr
インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ
HEXFET®
パッケージ
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
40ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
180A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
10V
(最高) @ ID、VgsのRds
3.7mOhm @ 75A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
150 NC @ 10ボルト
Vgs (最高)
±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
4340 pF @ 25ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
200W (Tc)
実用温度
-55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け
穴を通して
製造者装置パッケージ
TO-220AB
パッケージ/場合
TO-220-3
基礎プロダクト数
IRF1404

 

China IRFB4310PBF 100V 130A FETHEXFETパワーMOSFETIRFB7440PBF 40V 120A supplier

IRFB4310PBF 100V 130A FETHEXFETパワーMOSFETIRFB7440PBF 40V 120A

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