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FDPF045N10A Mosfet力トランジスターMOSFET 100VのN-ChannelのPowerTrench MOSFET
特徴
RDS () =3.7mΩ (タイプ。) @VGS =10V、ID =67A
速い切り替え速度
低いゲート充満、QG = 57 NC (タイプ。)
極端に低いRDSのための高性能の堀の技術()
高い発電および現在の処理の機能
迎合的なRoHS
記述
このN-Channel MOSFETはフェアチャイルドSemiconductor®オン州の抵抗を最小にするために合った先発のPowerTrench®プロセスを使用してingの優秀な転換の性能を維持する間、作り出される。
適用
ATX/サーバー/電気通信PSUのための同期改正
モーター ドライブおよび無停電電源装置
マイクロ太陽インバーター