パワーモスフェットトランジスタ

HEXFETパワーMOSFETトランジスタ、パワーMOSFETモジュールIRF7329 トレンチ技術 超低オン抵抗 デュアルPチャネルMOSFET ロープロファイル（<1.8ミリメートル） テープ＆リールで利用可能 無鉛の 説明 インターナショナル.........

FDD3672 -高度のパワー エレクトロニクスの適用のための高い発電MOSFETのトランジスター FETのタイプ N-Channel...

力MosfetのトランジスターAutoprotected VND3NV0413TRをショートさせなさい 特徴 タイプ RDS （） Ilim Vclamp VNN3NV04 VNS3NV04 VN...

IRFP460LC力MOSFET -あなたの電子工学の必要性のための高性能解決IRFP460LC力MOSFETの購入の賛否両論 あなたの電子デバイスに動力を与えるために強力のおよび信頼できるトランジスター捜せばIRFP460LC力MOSFETはかもしれないちょうどである必要とするかもの。この.........

製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

IRF540NSTRLPBF 良質HEXFE力MOSFETのトランジスター100V 44mΩ 33A新しい原物 細部の変数: 高度HEXFET力のMOSFETsからの 包装:- 263にタイプ:Nチャネル25°Cの連続的な下水管の流れ（ID）:33A下水管源の電圧（VDSS）.........

NチャネルIXTH24N50L線形力MOSFETのトランジスターTO-247単一のFETsのトランジスター IXTH24N50Lの製品の説明 IXTH24N50LはN-Channel線形操作のために設計されている線形力MOSFETのトランジスター パッケージであるTO-247.........

パワーモスフェットトランジスタ APT94N65B2C3G APT94N65B2C3G マイクロセミ株式会社 (現在はマイクロチップ) MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX 製品技術仕様 カテゴリー 集積回路 (IC) 　 APT94N65B2C3.........

プロダクト細部 IRF3205にまた中国が作った良質の、興味を起こさせられて、plsなら連絡する引用を得るために私達にある。 私達の会社はすべてのIRFシリーズ、熱い販売を供給でき、在庫で、卸売はよい引用を得る。 包装 管 部分の状態 活動的 FETのタイプ N-Channel.........

...

M68702H 150-175MHz、12.5V、60WのFMの可動装置のラジオのためのRF力モジュールのトランジスター 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 　 部品番号 MFG/BRAND SS513AT ハネウェル社 　 RT2528L RALNK RT5501WSC ......

AOD442/AOI44260V NチャネルMOSFET 概説 AOD442/AOI442によって使用される高度の堀の技術への優秀なR DS （）および低いゲート充満を提供して下さい。それら装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適しています適用。 変数 .........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

VRF2933 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路VRF2933w 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター プロダクト概観 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 Mosfetの配列2のN-Channel （二重）非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1.........

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

MJE15028G Chipscomponentの電子部品ICの破片 MJE15028Gの高い発電MOSFETの電子破片真新しい元のTO-220 （TO-220-3） 両極トランジスター-バイポーラ トランジスタ（BJT） 8A 120V 50W NPN 部門.........

FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

高い発電MOSFET 2N7002TのN-Channelの強化モード電界効果トランジスタ60V、115mA、2Ω [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客の.........

高精度3N80 3A 800Vの電界効果トランジスタ力Mosfet NチャネルTO-220 20~40V 40V 55-60V 65-95V 100-150V 200-500V 600V 650V 700-900V MOSFET 高い発電のトランジスター特徴: よい熱放散のため.........