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FDD3672 -高度のパワー エレクトロニクスの適用のための高い発電MOSFETのトランジスター
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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28mOhm @ 44A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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36 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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1710 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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135W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-252AA
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パッケージ/場合
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プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDD3672 - N-Channel力MOSFET
FDD3672はオン・セミコンダクターが製造したN-Channel力MOSFETである。それは優秀な電力損失、低いゲート充満および速い切り替え速度を提供する。
特徴:
•100V下水管源の絶縁破壊電圧
•10.2Aの最高の連続的な下水管の流れ
•低いゲート充満:典型的なQg = 16nC
•0.48Ωの最高の下水管源のオン州の抵抗
•で評価される内部なだれエネルギーEAS = 7.3mJ
•175°Cの最高の作動の接合部温度
•平均ゲート充満:典型的なQg = 16nC
•速い切り替え速度:tD （） =典型的な10ns
•無鉛、RoHS迎合的なパッケージ
