半導体はMosfetのトランジスターNチャネルSTB24N60DM2に動力を与える

型式番号:STB24N60DM2
最低順序量:交渉可能
支払の言葉:T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:在庫数 41128 個
受渡し時間:交渉可能
プロダクト モデル:STB24N60DM2
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住所: COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO王ST MONGKOKKL
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 16 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細
製品範囲
  • STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel
  • N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ
Appの特徴
  1. 特徴
  • 早く回復ボディ ダイオード
  • 極端に低いゲート充満および入力キャパシタンス
  • 低いオン抵抗
  • 100%のなだれはテストした
  • 非常に高いdv/dtの険しさ
  • Zener保護される
  1. 記述
  • これらの高圧N-channel力のMOSFETsはMDmesh™ DM2の速い回復ダイオード シリーズの部分である。それらは非常に低い回復それらを適したする低いRDSと()結合される充満(Qrr)および橋地勢学およびZVSの偏移コンバーターの最もデマンドが高い高性能のコンバーターそして理想の時間(trr)を提供する。
基本データ
製品特質属性値
STMicroelectronics
製品カテゴリ:MOSFET
RoHS:細部
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1つのチャネル
600ボルト
18 A
200のmOhms
- 25ボルト、+ 25ボルト
4ボルト
29 NC
- 55 C
+ 150 C
150 W
強化
FDmesh
巻き枠
テープを切りなさい
巻き枠
ブランド:STMicroelectronics
構成:単一
落下時間:15 ns
製品タイプ:MOSFET
上昇時間:8.7 ns
シリーズ:STB24N60DM2
1000
下位範疇:MOSFETs
典型的なTurn-Off遅れ時間:60 ns
典型的なTurn-On遅れ時間:15 ns
単位重量:0.139332 oz
ダウンロードのデータ用紙
適用
  • 転換の適用
  • BLDCモーター
  • 三相永久マグネット同期電動機
  • インバーター
  • 半分橋運転者
  • ロボティック制御システム
  • 電気器具
  • 格子下部組織
  • EPOS•家のtheate
  • 分散パワー系統
  • コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
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破片の図表

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半導体はMosfetのトランジスターNチャネルSTB24N60DM2に動力を与える

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