力MosfetのトランジスターAutoprotected VND3NV0413TRをショートさせなさい

型式番号:VND3NV0413TR
原産地:中国
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:5200PCS
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

力MosfetのトランジスターAutoprotected VND3NV0413TRをショートさせなさい


特徴


タイプRDS ()IlimVclamp

VNN3NV04

VNS3NV04

VND3NV04

VND3NV04-1

120 mΩ3.5 A40ボルト

■線形現在の限定

■熱操業停止

■短絡の保護

■統合されたクランプ

■入力ピンから引かれる低い流れ

■入力ピンを通る診断フィードバック

■ESDの保護

■力MOSFET (アナログの運転)のゲートへの直接アクセス

■2002/95/E。-ヨーロッパの指令に従って標準的な力MOSFETと互換性がある


記述

VNN3NV04、VNS3NV04、VND3NV04 VND3NV04-1は、DCからの標準的な力のMOSFETsの取り替えのために50までのkHzの適用を意図されているSTMicroelectronics VIPower M0-3の技術で設計されている単一装置である。粗い環境の破片を保護するために熱操業停止、線形現在の限定および過電圧クランプで造られる。


欠陥のフィードバックは入力ピンの電圧の監視によって検出することができる。


装置概要

パッケージオーダー コード
管(無鉛)テープおよび巻き枠録音し、巻き取りなさい(無鉛)
SOT-223VNN3NV04-VNN3NV0413TR-
SO-8VNS3NV04-VNS3NV0413TR-
TO-252VND3NV04VND3NV04-EVND3NV0413TRVND3NV04TR-E

ブロック ダイヤグラムおよびピン記述


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力MosfetのトランジスターAutoprotected VND3NV0413TRをショートさせなさい

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