高い発電MosのトランジスターICはFDPC5018SGの電子部品を欠く

型式番号:FDPC5018SG

原産地:アメリカ

包装の細部:元のパッケージ

最低順序量:discussible

支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力:100000pcs 1か月

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限られるシンセンResの電子工学

確認済みサプライヤー

Shenzhen Guangdong China

住所： B615のNiulanqianの建物、Minzhiの道、竜華区、シンセン都市、広東省、中国

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 12 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター

プロダクト概観

MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56

Mosfetの配列2のN-Channel （二重）非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1W表面の台紙力クリップ56
MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
TRANS MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8 Pin PQFN EP T/R

Bomサービス

ワンストップ電子部品BOMのリストのKittingサービスICダイオードのトランジスターコンデンサーの抵抗器誘導器コネクターの一致

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3. あなたの費用を除けば
より多くのより安い価格
より少ない発送料
すべてのお金を除けば使う必要はない

4. 少数の品質の問題
より滑らかなコミュニケーション
不適当な組み合わせの減少
擬似および劣った断りなさい

位置の数	8
源の抵抗に流出させなさい（）（Rds）	0.0014 Ω
電力損失	29 W
境界の電圧	1.6 V
流出させなさいに源の電圧（Vds）	30ボルト
実用温度（最高）	150 ℃
実用温度（分）	-55 ℃
ピンの数	8
場合/パッケージ	QFN
プロダクトライフサイクルの状態	Digiキーで中断される
包装	テープ及び巻き枠（TR）
ブランド