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Mosfet力トランジスターNVHL040N65S3F M Superfet3 650V TO247 PKG Nチャネル
記述
SUPERFET III MOSFETは顕著で低いon−resistanceおよびより低いゲート充満性能のために充満バランスの技術を利用している新しい高圧super−junctionの(SJ) MOSFET家族です。この先端技術は伝導の損失を最小にし、優秀な切換えの性能を提供し、極度なdv/dt率に抗するために合います。その結果、SUPERFET III MOSFETは小型化および高性能のさまざまなパワー系統のために非常に適しています。SUPERFET III FRFET MOSFETのボディ ダイオードの最大限に活用された逆の回復性能は付加的な部品を取除き、装置の信頼度を改善できます。
特徴
•700ボルト@ TJ= 150°C
•Typ。RDS （） = 33.8 m
•超低いゲート充満（Typ。Qg= 153 NC）
•低く有効な出力キャパシタンス（Typ。Coss （eff.） = 1333 pF）
•テストされる100%のなだれ
•修飾される可能なAEC−Q101およびPPAP
適用
•充電器HEV−EVの上で自動車
•HEV−EVのための自動車DC/DCのコンバーター
| 部門 | Mosfet力トランジスター |
|---|---|
| NVHL040N65S3F | |
| トランジスター極性 | Nチャネル |
| チャネルいいえ。 | 1つのチャネル |
| 漏出源のオン抵抗 | 40のmOhms |
| 連続的な漏出流れ | 65A |
| Pd力の消滅 | 446 W |
| VgsのThゲートの源の境界の電圧 | 3V |
| チャネル パターン | 強化 |
FAQ:
Q.私はいかに順序の支払をしますか。
A:TT、PaypalおよびAlibabaによってオンラインで支払うことができます。何でも混同してもらったら私達に知らせて下さい。
Q.私の小包はいかに出荷されますか。
A:通常、私達はDHL、Federal Express、TNT、EMSおよび香港のポストを使用します。当然あなたが好む、私達は助けるために全力を尽くしてもいいですだれでも選び。
Q.BOM Kittingサービスを提供しますか。私はあなたに私のBOMを送ってもいいですか。
A:はい確かに。ちょうど私達に連絡し、私達にあなたのBOMを送ればそれから私達はあなたのために引用します。あなたのBomが量と明確なら、よりよいです。なお、目標価格があったら、また私達を知っています許可して下さい。
