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包装 | 管 |
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部分の状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 55V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 110A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 8 mOhm @ 62A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 146nC @ 10V |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 3247pF @ 25V |
電力損失(最高) | 200W (Tc) |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) |
タイプの取付け | 穴を通して |
製造者装置パッケージ | TO-220AB |
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