ir力mosfet

L7810CV力Mosfet Transistroの力を転換する肯定的な電圧安定器肯定的な電圧安定器 物品目録 GBPC3508W 3460 9月 13+ GBPC BT169D 10000 16+ TO-......

限られる優秀な総合システムは（限られるEIS） IRLML6346TRPBF - IR （国際的な整流器） -の専門のストッキングのディストリビューターHEXFET力MOSFETです.........

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耐久性産業用高性能MOSFET 熱消耗金属酸化物 モスフェット 製品説明: MOSFETはN型装置で,ゲート・ソース電圧 (Vgs) は±30Vで,信頼性と効率的な性能を必要とする高電力アプリケーションで使用するのに最適です. 高功率MOSFETは,高功率MOSFETと優れた性能特性により,幅広........

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高い発電MOSFET FDI045N10AのN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、164A、4.5mΩ 高い発電MOSFET FDI045N10AのN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、164A、4.5mΩ [だれ私達があ.........

M68702H 150-175MHz、12.5V、60WのFMの可動装置のラジオのためのRF力モジュールのトランジスター 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 　 部品番号 MFG/BRAND SS513AT ハネウェル社 　 RT2528L RALNK RT5501WSC ......

プロダクト タイトル:IRF 7476 TRPBF HEXFET力MOSFET 製品の説明: 1。IRF 7476 TRPBFは国際的な整流器からのHEXFET力MOSFETである。 2。それに55ボルトの5.2 A、最高の下水管源の電圧、および最高の2.5ボル.........

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

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2N60-TC3力MOSFET 2A、600V Nチャネル力MOSFET 記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通.........

IR21094STRPBFの高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一.........

FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........

JUYI Tech JY09M Nチャネル増強MOS IC TO-220 70V90A パワーモスフェット * * * * JY09Mの詳細情報を得るために私たちと連絡してください,ありがとう! JY09Mは高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し 低ゲート充電でオン抵抗を削減し.........

穴HiP247を通した1200V MOSFET SCTWA50N120のN-Channelの炭化ケイ素力MOSFET SCTWA50N120の製品の説明 SCTWA50N120炭化ケイ素力MOSFET 1200 V、65 Aの59 mΩ （タイプ。、HiP247™の長い鉛のパッ.........

NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel 製品の説明: 1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET 2. P-channel 20V 9A （Ta）の840mW （Ta）.........

力MOSFETのオリジナルの集積回路IPT020N10N5ATMA1 製品の説明 必要なより少ない平行になること 増加された出力密度 減らされた転換および伝導の損失 製品仕様書 部品番号: IPT020N10N5ATMA.........