p channel mosfet switch circuit

IRF530NPBF MOSFET パワーエレクトロニクス 高出力 N チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション FETタイプ Nチャンネル......

IRFP260N NチャネルMOSFET 200V 50A 300WスルーホールTO-247AC 特徴 先端プロセス技術 ダイナミックdv / dt定格 175°C動作温度 高速スイッチング 完全アバランシェ評価 並列処理のしやすさ シンプルドライブの要件TO-247AC 無鉛の FETタイプ Nチ......

FDS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET 30VのP-ChannelのPowerTrench MOSFET 概説の特徴 このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った高度のPowerTrench®プロ.........

強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F 論理の水平なトランジスター記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計さ......

コンパクトな低抵抗高電圧 MOSFET 切り替え回路 製品説明: この高電圧MOSFETの重要な特徴の1つは,高電圧レベルに対応する能力です.これは,電気機械,溶接機械,高電圧レベルが一般的である実用的なインバーター.MOSFETは最新の技術を使って 信頼性と効率性を確保しています MOSFET........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........

IRF3710PBFの電子部品の真新しく、オリジナルの集積回路はICを欠く 製品カテゴリ: MOSFET RoHS: 細部 技術: Si 様式の取付け: 穴を通して......

オリジナルPチャネルMosfet IRLML6402TRPBF /集積回路IC Pチャネル 説明： International RectifierのこれらのPチャネルMOSFETは、 非常に低いオン抵抗を実現する高度な処理技術 シリコン面積ごと。 この利点は、高速と組み合わせて.........

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ISO9001.pdf IPD082N10N3はNチャネルMOSFETトランジスタである.その用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:高電圧と高電力の負荷スイッチとして使用変換器と調節器のスイッチとして使用される結論は高電圧対応:Vds=100V低導電抵抗:Rds (オン) =8.2m........

多目的なIRF3205 MOSFETのトランジスターを発見しなさいIRF3205 MOSFETのトランジスターが付いているあなたの電子回路を革命化しなさい IRF3205は高い発電の切換えが要求される電子回路で一般的の強力な、信頼できるN-channel MOSFETのトランジスターである。.........

NチャネルのMOSFETsのトランジスターIPBE65R115CFD7A集積回路の破片650V TO-263-8 IPBE65R115CFD7Aの製品の説明 IPBE65R115CFD7A 650VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターは、パッケージTO-263-.........

HEXFETパワーMOSFET T ♦超低オン抵抗 ♦PチャネルMOSFET ♦SOT-23フットプリント ♦ロープロファイル（<1.1ミリメートル） ♦テープ＆リールで利用可能 ♦高速スイッチング インターナショナル・レクティファイアーからこれらのPチャネルMO.........

IRFM250 パワー MOSFET パワーモスフェット (TO-254AA) 製品概要 部品番号 RDS (オン) ID IRFM250 0.100 Ω 27.4A IRFM250 JANTX2N7225 JANTXV2N7225 REF:MIL-PRF-19500/592 200V,Nチャネルヘ......

新しく、元のIRLML6401 N-Channel MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF プロダクト 記述: MOSFET;力;P CH;VDSS -12V;RDS （） 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V......

HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS （）、低いゲート充満および操作を提供しなさい 1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間 VGS （MAX）の評価。この装置は単方向.........

IRLML5203TRPBF Infineon/IR MOSFET MOSFT P CH -30V -3A 98mOhm 9.5nCの丸太Lvl 1.超低いオン抵抗P-Channel MOSFET表面の台紙テープ及び巻き枠で利用できる低いゲート充満無鉛迎合的なRoHSハロゲンなし.........

集積回路IC オリジナルと新品 CJ2301 SOT-23 Pチャネル MOSFET 2.3A20V CJチャンジング オリジナル [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,.........

製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回........

SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET 推奨されるアルト 製品属性 属性値 製造者: ヴィシェイ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: パワーパック1.........