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9 年
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HEXFETパワーMOSFET T
♦超低オン抵抗
♦PチャネルMOSFET
♦SOT-23フットプリント
♦ロープロファイル（<1.1ミリメートル）
♦テープ＆リールで利用可能
♦高速スイッチング
インターナショナル・レクティファイアーからこれらのPチャネルMOSFETのシリコン面積当たりの非常に低いオン抵抗を達成するために、高度な処理技術を利用します。 よくするために知られているパワーMOSFETをHEXFET®高速スイッチング速度と耐久性の高いデバイス設計と組み合わせたこの利点は、バッテリおよび負荷管理に使用するための非常に効率的で信頼性の高い装置を設計者に提供します。
熱特性が改善された大きなパッドのリードフレームは、業界最小のフットプリントでHEXFETパワーMOSFETを製造するための標準のSOT-23パッケージに組み込まれています。 Micro3™吹き替えこのパッケージには、プリント回路基板のスペースが限られているアプリケーションに最適です。 Micro3のロープロファイル（<1.1ミリメートル）は、このような携帯用電子機器やPCMCIAカードなどの極めて薄いアプリケーション環境に容易に適合することができます。 熱抵抗と消費電力が利用可能な最善です。
| パラメーター | マックス。 | ユニット | |
| V DS | ドレイン - ソース間電圧 | -20 | V |
| 私は、TA = 25°C @ D | 連続ドレイン電流、VGS @ -4.5V | -3.7 | A |
| 私はTA = 70°C @ D | 連続ドレイン電流、VGS @ -4.5V | -2.2 | |
| 私DM | パルスドレイン電流 | -22 | |
| P D @TA = 25°C | ワット損 | 1.3 | W |
| P D @TA = 70°C | ワット損 | 0.8 | |
| リニアディレーティングファクター | 0.01 | トイレ | |
| E AS | 単一パルスアバランシェエネルギー | 11 | mJア |
| V GS | ゲート・ソース間電圧 | ±12 | V |