製品カテゴリ

半導体ダイオード

[10]

企業との接触

限られるシンセンResの電子工学

ウェブサイトにアクセスします

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：Mrwilson zhong

表示連絡先の詳細

企業との接触

China IRLML6401 NチャネルMosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF PD 1.3W wholesale

IRLML6401 NチャネルMosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF PD 1.3W

最新の価格を尋ねる

型式番号 :IRLML6401TRPBF

最低順序量 :discussible

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :1ヶ月あたりの10000 PC

受渡し時間 :1-7Work幾日

包装の細部 :元

評価される力 :1.3 W

下水管源の抵抗 :0.05 Ω

極性 :P-Channel

放蕩力 :1.3 W

境界の電圧 :550 mV

入れられたキャパシタンス :830 pF

ピンナンバー :3

企業との接触

Add to Cart

製品の説明を表示

新しく、元のIRLML6401 N-Channel MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF

プロダクト 記述:

MOSFET;力;P CH;VDSS -12V;RDS （） 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V

TRANS MOSFET P-CH 12V 4.3A 3 PinマイクロT/R

トランジスター:P-MOSFET;単極;論理のレベル;-12V;-4.3A;1.3W

国際的な整流器からのこれらのP-ChannelのMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのにadvancedprocessing技術を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名のためにであること速い切り替え速度および高耐久化されたdevicedesignと結合されるこの利点は電池のandload管理の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、thedesignerに与える。熱的に高められた大きいパッドのleadframeはthestandard SOT-23のパッケージにtheindustryで最も小さい足跡のHEXFET力MOSFETを作り出すために組み込まれた。このパッケージは、どこでスペースによってが報酬にあるプリント基板をMicro3™を、である理想的なforapplicationsダビングした。控えめの（<1>

科学技術変数:

境界の電圧	550 mV
入力キャパシタンス	830 pF
評価される力	1.3 W
極性	P-Channel
設置方法	表面の台紙
ピンナンバー	3
パッケージ	SOT-23-3
実用温度	-55℃ \| 150℃ （TJ）
包装	テープ及び巻き枠（TR）
製造の適用	DCスイッチ

商品のタグ：