Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

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450mA 850mA 3.3Vの論理の多用性があるBldcの高い側面NチャネルMosfetスイッチ運転者

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450mA 850mA 3.3Vの論理の多用性があるBldcの高い側面NチャネルMosfetスイッチ運転者

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型式番号 :JY21L
最低順序量 :1セット
包装の細部 :PE BAG+のカートン
原産地 :中国
受渡し時間 :5-10日
支払の言葉 :T/T、L/C、Paypal
供給の能力 :1000sets/day
ゲート ドライブ供給の範囲 :5.5Vへの20V
出力源は/現在の機能を沈める :450mA/850mA
高い側面の浮遊供給 :-0.3-150V
低い側面および主力供給 :-0.3-25V
高速 :はい
色 :
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JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。

 

概説
プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である
P-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用することができる
150Vまで作動するIGBT独自にか力MOSFET。論理の入力はある
、3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力
運転者は最低の運転者の十字のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする
伝導。伝搬遅延は高周波の使用を簡単にするために一致する
適用。


特徴
互換性がある3.3V論理
●+150Vに完全に機能した
●ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
●5.5Vからの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
●出力源/流しの現在の機能450mA/850mA
●すべての地勢学を収容する独立した論理の入力
●能力対否定的な-5V
●両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延


適用
力MOSFETまたはIGBTの運転者
●小さく、medium-powerモーター運転者
 

450mA 850mA 3.3Vの論理の多用性があるBldcの高い側面NチャネルMosfetスイッチ運転者

 

Pinの記述

ピン ナンバー Pin名前 Pin機能
1 VCC 低い側面および主力供給
2 HIN 高い側面のゲートの運転者の出力のための論理の入力(HO)
3 低い側面のゲートの運転者の出力(LO)のための論理の入力
4 COM 地面
5 LO 林との段階の低い側面のゲート ドライブ出力、
6 高い側面の浮遊供給のリターンかブートストラップのリターン
7 HO HINの段階の高い側面のゲート ドライブ出力、
8 VB 高い側面の浮遊供給


絶対最高評価

記号 定義 MIN. MAX. 単位
VB 高い側面の浮遊供給 -0.3 150 V
高い側面の浮遊供給のリターン VB-20 VB +0.3
VHO 高い側面のゲート ドライブ出力 VS-0.3 VB +0.3
VCC 低い側面および主力供給 -0.3 25
VLO 低い側面のゲート ドライブ出力 -0.3 VCC +0.3
VIN HIN&LINの論理の入力 -0.3 VCC +0.3
ESD HBMモデル 2500 V
機械モデル 200 V
PD パッケージの電力損失@TA≤25ºC 0.63 W
RthJA 包囲されたへの熱抵抗の接続点 200 ºC/W
TJ 接合部温度 150 ºC
TS 保管温度 -55 150
TL 鉛の温度 300


注:これらの評価を超過することは装置を損なうかもしれない

ダウンロードJY21Lの利用者マニュアル

450mA 850mA 3.3Vの論理の多用性があるBldcの高い側面NチャネルMosfetスイッチ運転者JY21L.pdf

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