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IRF530NPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
高出力 N チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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90ミリオーム @ 9A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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37nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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920 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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70W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220AB
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パッケージ・ケース
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製品リスト:
製品名: IRF530NPBF MOSFET
パッケージタイプ: TO-220
最大ドレイン・ソース電圧: 100V
最大ゲート・ソース電圧: 20V
連続ドレイン電流: 16A
パルスドレイン電流: 100A
立ち上がり/立ち下がり時間: 45nS
RDS(オン): 0.8オーム
Vgs(th): 2-4V
熱抵抗: 2.7℃/W
動作温度範囲: -55 ～ +175°C
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