pチャネルモスフェット

STL150N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 195A パワーフラット N P チャネル モスフェット 製造者: STMマイクロ電子機器 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パ.........

OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード NチャネルMosfetのトランジスター記述 UTC 12N60-Cは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている.........

IRFP2907PBF パワー エレクトロニクス アプリケーション向け高性能 N チャネル MOSFET IRFP2907PBF MOSFET この MOSFET は、ドレイン-ソース間電圧 100V、ドレイン電流 19A の.........

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETのトランジスター200V表面の台紙D2PAK 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの.........

7A650V スーパー・ジャンクション MOSFET 大きいEMI 幅 Nチャネル MOSFET LC65R600F 部分番号 パッケージ 死ぬ チャンネル 私はD (A) VDSS (V) VGSS (V) VGS (th)(V) RDS ((ON)10V (mΩ) Q.........

迎合的な穴TO-247AC RoHSを通したIRFP260NPBF NチャネルMOSFET 200V 50A 300W 他の名前:64-6005PBF 特徴 l高度の加工技術 l動的dv/dtの評価 l 175°Cの実用温度 lは切換え絶食します 評価される十分にlなだれ 平行になることのl容易さ ......

HEXFETパワーMOSFET T ♦超低オン抵抗 ♦PチャネルMOSFET ♦SOT-23フットプリント ♦ロープロファイル（<1.1ミリメートル） ♦テープ＆リールで利用可能 ♦高速スイッチング インターナショナル・レクティファイアーからこれらのPチャネルMO.........

NTMFS4833NT1G MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN mosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. NTMFS4833NT1G分野効果の管、MOSFETのNチャネル、30V、191A、DFN5 Nチャネル力MOSFET、30V2. NT.........

8205A SOT-23-6LはMOSFETSの二重N-Channel MOSFETをプラスチック内部に閉じ込める 概説 VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1...

高い発電MOSFET FDMS1D2N03DSD力クリップ非対称的な二重N-Channel MOSFET、30ボルト [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス.........

自動車IGBTモジュールFF2MR12KM1HOSA1 2NチャネルMosfetは1200V半分橋を配列する FF2MR12KM1HOSA1の製品の説明 FF2MR12KM1HOSA1は62mm CoolSiC™の堀MOSFETの1200V Mosfetの配列、2つのN-Channe.........

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

BUZ10トランジスターNチャネルMOSFET TRANS MOSFET N-CH 50V 23A 3 Pin （3+Tab） TO-220 部門 力MOSFET チャネル モード 強化 チャネル タイプ N......

DMN26D0UT-7 DMN26のダイオードのN-Channel mosfetの表面の台紙SOT-523 N-Channel 20 V 230mA （Ta）の300mW （Ta）表面の台紙SOT-523 指定:MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523.........

IRLML5203TRPBF Infineon/IR MOSFET MOSFT P CH -30V -3A 98mOhm 9.5nCの丸太Lvl 1.超低いオン抵抗P-Channel MOSFET表面の台紙テープ及び巻き枠で利用できる低いゲート充満無鉛迎合的なRoHSハロゲンなし.........

様式を取付けるIPD25N06S4L 30 25A 60V NチャネルMosfet SMD SMT 25A 60V MOSFETスクリーン4N06L30NチャネルDPAK-2のOptiMOS T2に252 IPD25N06S4L-30 Fetパッチ 製品特質.........

FDS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET 30VのP-ChannelのPowerTrench MOSFET 概説の特徴 このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った高度のPowerTrench®プロ.........

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

オリジナルPチャネルMosfet IRLML6402TRPBF /集積回路IC Pチャネル 説明： International RectifierのこれらのPチャネルMOSFETは、 非常に低いオン抵抗を実現する高度な処理技術 シリコン面積ごと。 この利点は、高速と組み合わせて.........

ISO9001.pdf IPD075N03LGは,NチャネルMOSFETトランジスタである.このトランジスタの用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:電源スイッチとDC-DC変換器自動車運転手自動車用電子機器産業自動化制御システム結論は効率的なNチャネルMOSFETトランジスタ低導電抵抗と......