Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Nは穴TO-247AC 200V 50A 300Wを通してMOSFETの集積回路の部品IRFP260Nを運びます

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
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Nは穴TO-247AC 200V 50A 300Wを通してMOSFETの集積回路の部品IRFP260Nを運びます

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型式番号 :IRFP260N
原産地 :中国
最低順序量 :20 pcs
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :相談
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :50PCS/Standardパッケージ
FETのタイプ :N チャネル
源の電圧に流出させて下さい :200V
電圧を運転して下さい :10 V
動作温度 :-55°C | 175°C
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穴TO-247ACを通したIRFP260NのN-Channel MOSFET 200V 50A 300W

特徴

高度の加工技術

動的dv/dtの評価

175°C実用温度

速い切換えか。

評価される十分になだれか。

平行になる容易さか。

簡単なドライブ条件TO-247ACか。

無鉛

FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 200V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 50A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V
(最高) @ ID、VgsのRds 40 mOhm @ 28A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 234nC @ 10V
Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 4057pF @ 25V
FETの特徴 -
電力損失(最高) 300W (Tc)
実用温度 -55°C | 175°C

 

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